[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明涉及用于处理基板的装置和方法，所述装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。基板支承单元包括：支承板，其支承基板；和加热单元，其控制基板的温度。加热单元包括：多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其将功率施加至多个加热构件；滤波器，其防止多个加热构件与RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性。

相关申请的交叉引用

本申请请求于2019年6月27日递交韩国知识产权局的第10-2019-0076766号韩国专利申请在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文中所描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种用于检测支承板的各个区域的等离子体特性的基板处理装置和方法。

背景技术

为了制造半导体元件，通过在基板上执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等的各种工艺，在基板上形成所需图案。在这些工艺中，蚀刻工艺为去除形成在基板上的膜的选定的区域的工艺，且使用湿法蚀刻或干法蚀刻。

使用等离子体的蚀刻装置用于干法蚀刻。通常，为了形成等离子体，蚀刻装置在腔室的内部空间中形成电磁场，并且该电磁场将腔室内的工艺气体激发成等离子体状态。

等离子体是指含有离子、电子、和基团的物质的离子化气态。通过将惰性气体加热到很高的温度或使惰性气体经受强电场或射频(RadioFrequency，RF)电磁场来产生等离子体。半导体元件制造工艺使用等离子体来执行蚀刻工艺。通过包含在等离子体中的离子颗粒与基板碰撞，执行刻蚀工艺。

近来，随着对工艺的更精确控制，检测腔室中的等离子体特性是重要的。在现有技术中，为了识别腔室中的等离子体特性，将VI传感器安装在RF杆(RFrod)上以监测腔室中的等离子体特性。因此，仅可以识别耦合到RF杆的RF参数值，且不能检测静电卡盘上的各个区域的等离子体特性。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于检测支承板的各个区域的等离子体特性的基板处理装置和方法。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，该等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率(RFpower)，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。基板支承单元包括：支承板，其支承基板；和加热单元，其控制基板的温度。加热单元包括：多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其向所述多个加热构件施加功率；滤波器，其防止多个加热构件与所述RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性。

所述检测单元可包括：测量构件，其分别测量所述多个加热构件所位于的区域中的电压和电流；和控制构件，其基于所述区域中的所述电压和所述电流来检测所述支承板的所述各个区域的所述等离子体特性。

所述检测单元可包括显示构件，所述显示构件显示所述支承板的所述各个区域的所述电压和所述电流。

所述显示构件可为数字化仪(digitizer)。