[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有多条位线结构，所述位线结构界定出若干节点接触窗；

形成第一电性传输层于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗；

形成间隔图案于所述位线结构上，所述间隔图案至少覆盖所述位线结构的部分顶部，相邻的间隔图案之间通过开口间隔，所述开口至少露出所述第一电性传输层的部分顶部；以及，

形成第二电性传输层于所述开口中，并使所述第二电性传输层与所述第一电性传输层电性连接；

形成间隔图案的同时形成所述开口，形成所述间隔图案及所述开口的步骤包括：

形成间隔材料层于所述位线结构上，所述间隔材料层覆盖所述位线结构并填充剩余深度的节点接触窗；以及，

刻蚀所述间隔材料层以形成若干所述开口，剩余的所述间隔材料层构成所述间隔图案；

所述间隔材料层包括缓冲材料层及绝缘材料层，所述缓冲材料层覆盖所述位线结构并延伸覆盖剩余深度的节点接触窗的内壁，所述绝缘材料层位于所述缓冲材料层上并填充剩余深度的节点接触窗。

2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在垂直于深度方向上，所述开口的位置与所述节点接触窗的位置对应；或者，在垂直于深度方向上，所述开口的位置与所述节点接触窗的位置具有偏移，所述开口还横向延伸至露出所述位线结构的部分顶部。

3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述缓冲材料层为绝缘材料；

或者，所述缓冲材料层为导电材料，在形成所述开口之后，形成第二电性传输层之前，还包括：

至少在所述开口的侧壁上形成绝缘侧墙以将所述缓冲材料层与所述第一电性传输层及所述第二电性传输层电性隔离。

4.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

多条位线结构，位于所述衬底上并界定出若干节点接触窗，所述位线结构包括位线导电层及覆盖所述位线导电层的位线遮蔽层；

第一电性传输层，位于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗；

第二电性传输层，覆盖所述第一电性传输层的部分顶部及所述位线遮蔽层的部分顶部并与所述第一电性传输层电性连接；以及，

间隔图案，覆盖所述位线遮蔽层的剩余顶部及所述第一电性传输层的剩余顶部，以间隔相邻的第二电性传输层；

所述间隔图案的底部与所述第一电性传输层的顶部相接触，所述间隔图案包括绝缘材料层和缓冲材料层，所述缓冲材料层位于所述绝缘材料层与所述第一电性传输层之间以及位于所述绝缘材料层与所述位线遮蔽层之间。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一电性传输层完全填充所述节点接触窗，其中，所述第二电性传输层的底部与所述位线遮蔽层的顶部齐平。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为与所述位线遮蔽层具有刻蚀选择比的材料。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为导电材料，且所述存储器还包括：

绝缘侧墙，至少覆盖所述间隔图案的侧壁以将所述缓冲材料层与所述第一电性传输层及所述第二电性传输层电性隔离。