[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法，直接利用位线结构界定出若干节点接触窗，由于此时节点接触窗的高度较低，深宽比较小，在节点接触窗中形成第一电性传输层时，对第一电性传输层的形成工艺要求较小；形成第一电性传输层之后再形成间隔图案，相邻的间隔图案之间通过开口间隔，开口至少露出第一电性传输层的部分顶部，形成第二电性传输层于开口中，由于此时开口的高度较低，深宽比较小，在开口中形成第二电性传输层时，对第二电性传输层的形成工艺要求也较小，并且，将第二电性传输层与第一电性传输层电性连接后构成节点接触结构，在此步骤中不会对存储器造成不良影响。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。所述存储器还具有多条位线结构，每一位线结构分别与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括电容结构，所述电容结构用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触结构电性连接所述电容结构，从而实现各个存储单元的存储功能。

目前，所述存储器的形成方法包括：在衬底上形成堆叠的位线导电层、位线遮蔽层及介质层并图形化，剩余的位线导电层和位线遮蔽层构成位线结构，剩余的介质层构成绝缘图案，利用所述位线结构及绝缘图案界定出节点接触窗；然后在所述节点接触窗中填充导电材料，所述导电材料还延伸所述绝缘图案；最后刻蚀导电材料形成若干开口，以将所述导电材料间隔为若干节点接触结构。所述绝缘图案用于在刻蚀导电材料形成所述开口时保护所述位线结构，防止所述位线结构被刻蚀损伤，但同时所述绝缘图案会增加节点接触窗的高度，使得从而节点接触窗深宽比增加，从而导致在节点接触窗填充导电材料的难度加大，对形成导电材料的工艺要求极高；并且，在对位线导电层、位线遮蔽层及介质层进行图形化时，由于堆叠的膜层较厚，刻蚀难度非常高，对刻蚀工艺的要求也极高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器及其形成方法，降低了制备存储器时的工艺要求，并且不会对存储器的性能产生不良影响。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有多条位线结构，所述位线结构界定出若干节点接触窗；

形成第一电性传输层于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗；

形成间隔图案于所述位线结构上，所述间隔图案至少覆盖所述位线结构的部分顶部，相邻的间隔图案之间通过开口间隔，所述开口至少露出所述第一电性传输层的部分顶部；以及，

形成第二电性传输层于所述开口中，并使所述第二电性传输层与所述第一电性传输层电性连接。

可选的，形成间隔图案的同时形成所述开口，形成所述间隔图案及所述开口的步骤包括：

形成间隔材料层于所述位线结构上，所述间隔材料层覆盖所述位线结构并填充剩余深度的节点接触窗；以及，

刻蚀所述间隔材料层以形成若干所述开口，剩余的所述间隔材料层构成所述间隔图案。

可选的，在垂直于深度方向上，所述开口的位置与所述节点接触窗的位置对应；或者，在垂直于深度方向上，所述开口的位置与所述节点接触窗的位置具有偏移，所述开口还横向延伸至露出所述位线结构的部分顶部。

可选的，所述间隔材料层包括缓冲材料层及绝缘材料层，所述缓冲材料层覆盖所述位线结构并延伸覆盖剩余深度的节点接触窗的内壁，所述绝缘材料层位于所述缓冲材料层上并填充剩余深度的节点接触窗；

所述缓冲材料层为绝缘材料；

或者，所述缓冲材料层为导电材料，在形成所述开口之后，形成第二电性传输层之前，还包括：