[发明专利]用于产生二极管的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：在公共衬底上共同地产生双极型晶体管和可变电容二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其中共同产生包括：

形成所述双极型晶体管的非本征基极；

利用与所述非本征基极接触的链路来填充在层的区域之间的凹口；以及

形成所述可变电容二极管，以包括具有第一导电类型的第一区和具有第二导电类型的第二区；

其中所述第一区和与所述链路接触的区域由在同一沉积步骤中沉积的层形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一区与所述第二区接触，所述第二区位于与衬底内的非本征集电极区相同的水平。

4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：外延形成所述第一区。

5.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：通过离子注入来掺杂所述第二区的区段。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述二极管是具有超突变p-n结的变容管，所述超突变p-n结由所述第一区和所述区段形成。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一导电类型是p型，并且所述第二导电类型是n型。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一导电类型是n型，并且所述第二导电类型是p型。

9.一种方法，包括：

在公共衬底上共同地产生双极型晶体管和可变电容二极管；

其中共同地产生包括：

为所述可变电容二极管形成p-n结，所述可变电容二极管包括具有第一导电类型的第一区，所述第一区位于具有第二导电类型的第二区的顶部上；

为具有所述第二导电类型的所述双极型晶体管形成本征集电极、以及为具有所述第二导电类型的所述双极型晶体管形成本征发射极，所述本征集电极和所述本征发射极被具有所述第一导电类型的本征基极分开；

在形成所述第一区的图案化的层的侧边缘上形成第一MOS间隔物；以及

形成与绝缘层的侧边缘相邻的第二MOS间隔物，所述绝缘层使所述双极型晶体管的所述本征集电极绝缘。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

利用与所述非本征基极接触的链路来填充第一层的区域之间的凹口；以及

由在同一沉积步骤中沉积的第二层形成所述可变电容二极管的所述第一区和与所述链路接触的区域。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一MOS间隔物和第二MOS间隔物的高度低于与所述链路接触的所述区域。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一区与所述第二区接触，所述第二区位于与所述公共衬底内的非本征集电极区相同的水平。

13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：外延地形成所述第一区。

14.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：通过离子注入来掺杂所述第二区的区段。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述二极管是具有超突变p-n结的变容管，所述超突变p-n结由所述第一区和所述区段形成。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一导电类型是p型，并且所述第二导电类型是n型。

17.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一导电类型是n型，并且所述第二导电类型是p型。