[发明专利]用于产生二极管的方法

说明书

本公开涉及一种用于产生电子组件的方法。通过该方法在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管。

优先权要求

本申请要求于2019年6月28日提交的法国专利申请号1907149的优先权权益，其内容在法律允许的最大程度内通过整体引用并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及用于产生电子组件的方法，并且更特别地，涉及用于产生可变电容二极管(也被称为变容二极管(varicap diode)或变容管(varactor))的方法。

背景技术

变容二极管是具有两个端子的电子偶极子，在该两个端子之间形成p-n结。

当变容二极管受到直接极化时，其具有与常规二极管的操作类似的操作，换言之，当超过某个电压阈值时，变容二极管导通。

相反，如果跨变容二极管的端子施加相反的极化电压，则变容二极管与常规二极管在截止状态下的不同之处在于，理论上它运转不类似断开电路，而是类似电容器。实际上，对于反向偏置的常规二极管，也会发生类似的电容现象，但程度较小。

然而在常规二极管的情况下尽力避免这种电容现象，但是在变容二极管的情况下尽可能地鼓励这种电容现象。

在本领域中需要增加电流变容二极管的电容量。进一步需要改进可以产生变容二极管的方法。

发明内容

一个实施例解决了已知的变容二极管和产生这些变容二极管的已知方法的所有或一些缺点。

一个实施例提供了一种用于在相同(即，共同或共用)衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管的方法。

根据一个实施例，所述二极管包括由以下各项构成的p-n结：具有第一导电类型的第一区；以及具有第二导电类型的第二区；在同一步骤期间制造所述晶体管的所述第一区和非本征基极。

根据一个实施例，使所述第一区与构成所述第二区的非本征集电极区平齐。

根据一个实施例，所述第一区通过外延制成。

根据一个实施例，所述第二区的区段通过离子注入进行掺杂。

根据一个实施例，第一导电类型是p，并且第二导电类型是n。

根据一个实施例，第一导电类型是n，并且第二导电类型是p。

根据一个实施例，所述二极管包括具有超突变(hyperabrupt)p-n结的变容管。