[发明专利]一种LED外延芯片加工用PVC划片膜在审
| 申请号： | 202010594791.0 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111696907A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 汪志清;夏枝巧 | 申请（专利权）人： | 苏州佰霖新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00;C09J133/04;C09J11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 芯片 工用 pvc 划片 | ||
1.一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：其自上而下依次包括第一层胶层、第二层亮光层、第三层柔性层、第四层磨砂层、第五层离型层，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用三层延压工艺制作而成，所述第一层胶层包括玻化温度为-28～-38℃的压克力共聚合树脂60%～85%、环氧树脂交联剂5%～15%、有机金属抗静电剂1%～3%。
2.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层选自聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯中的任一种。
3.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第二层亮光层为经过亮光处理的聚氯乙烯材料层；所述第四层磨砂层为经过磨砂处理的聚氯乙烯材料层；所述第二层亮光层、第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用共挤延压制作形成一个整体层。
4.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述环氧树脂交联剂为甲苯。
5.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述有机金属抗静电剂为乙酸乙酯。
6.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第一层胶层的高度为所述PVC划片膜总高度的15%。
7.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第二层亮光层的厚度为1~5微米；所述第四层磨砂层的厚度为2~10微米。
8.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第三层柔性层的厚度为55~60微米、或65~70微米、或135~140微米。
9.如权利要求1所述的LED外延芯片加工用PVC划片膜，其特征在于：所述第五层离型层在LED外延芯片加工时的剥离力为0.01N/20mm~0.05N/20mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
