[发明专利]一种LED外延芯片加工用PVC划片膜

说明书

本发明揭示了一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，其自上而下依次包括第一层胶层、第二层亮光层、第三层柔性层、第四层磨砂层、第五层离型层，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用三层延压工艺制作而成，所述第一层胶层包括玻化温度为‑28～‑38℃的压克力共聚合树脂60%～85%、环氧树脂交联剂5%～15%、有机金属抗静电剂1%～3%。本发明能够保障LED外延芯片在切割过程中不易发生角崩、背崩等问题，为外延芯片的加工质量提供了保障。

【技术领域】

本发明属于LED外延芯片加工技术领域，特别是涉及一种LED外延芯片加工用PVC划片膜。

【背景技术】

LED外延芯片加工时需要将LED外延芯片采用固定装置固定于切割机台上进行切割，当切割完毕后，再进行下一个制程挑拣。但是目前国内的固定装置会导致LED外延芯片加工时纵向横向扩张不均匀，而且LED外延芯片切割时有残胶污染晶圆，LED外延芯片切割时角崩、背崩等问题容易造成外延片损坏。国外的产品目前客户在使用时先预热使材料变软，以便进行贴合，存在着在温差变化时材料软硬度变化大以致无法使用的困扰。

因此，有必要提供一种新的LED外延芯片加工用PVC划片膜来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的主要目的在于提供一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，能够保障LED外延芯片在切割过程中不易发生角崩、背崩等问题，为外延芯片的加工质量提供了保障。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种LED外延芯片加工用PVC划片膜，其自上而下依次包括第一层胶层、第二层亮光层、第三层柔性层、第四层磨砂层、第五层离型层，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用三层延压工艺制作而成，所述第一层胶层包括玻化温度为-28～-38℃的压克力共聚合树脂60％～85％、环氧树脂交联剂5％～15％、有机金属抗静电剂1％～3％。

进一步的，所述第二层亮光层、所述第三层柔性层以及所述第四层磨砂层选自聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯中的任一种。

进一步的，所述第二层亮光层为经过亮光处理的聚氯乙烯材料层；所述第四层磨砂层为经过磨砂处理的聚氯乙烯材料层；所述第二层亮光层、第三层柔性层以及所述第四层磨砂层采用共挤延压制作形成一个整体层。

进一步的，所述环氧树脂交联剂为甲苯。

进一步的，所述有机金属抗静电剂为乙酸乙酯。

进一步的，所述第一层胶层的高度为所述PVC划片膜总高度的15％。

进一步的，所述第二层亮光层的厚度为1～5微米；所述第四层磨砂层的厚度为2～10微米。

进一步的，所述第三层柔性层的厚度为55～60微米、或65～70微米、或135～140微米。

进一步的，所述第五层离型层在LED外延芯片加工时的剥离力为0.01N/20mm～0.05N/20mm。

与现有技术相比，本发明一种LED外延芯片加工用PVC划片膜的有益效果在于：通过在第一层使用压克力共聚合树脂，既可以改善聚氯乙烯因软化点低造成外延片的污染，亦可改善聚氯乙烯不具柔软性，而影响加工时纵向横向扩张不均匀，切割时角崩、背崩等问题容易造成外延片损坏，采用三层压延的生产方式，精密的生产设备，采用压延的生产方法可以使得生产出的辊涂胶划片膜纵向及横向扩张均匀，切割时不角崩、不背崩，使用效果好；为外延芯片的加工质量提供了保障的同时，还能够使得与芯片容易粘贴、易取，且不易损坏芯片本体。

【附图说明】

图1为本发明实施例的剖面结构示意图；

100LED外延芯片加工用PVC划片膜；