[发明专利]封装件及其形成方法有效
申请号: | 202010596772.1 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112133696B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 余振华;郭庭豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H10B80/00;H01L23/485;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装件,包括:
多个构件,其中,所述构件包括:
多个器件管芯;
中介层,所述中介层包括位于多个器件管芯上方的第一互连结构、位于第一互连结构上方的半导体衬底、以及位于半导体衬底中的贯通孔,所述贯通孔通过所述第一互连结构与所述多个器件管芯接合;和
第一密封剂,将所述多个器件管芯密封在其中;
第二密封剂,将所述多个构件密封在其中;
第二互连结构,位于所述第二密封剂上方,其中,所述第二互连结构包括电耦合至所述多个器件管芯的再分布线;以及
功率模块,位于所述第二互连结构上方,其中,所述功率模块通过所述第二互连结构电耦合至所述构件,所述功率模块将调节的功率提供给所述构件,所述功率模块位于所述第二互连结构的与所述构件相对的侧上,
其中,所述再分布线在所述多个构件上方是连续的,其中所述构件之间的横向通信是通过所述再分布线而不是通过封装衬底和/或印刷电路板来进行。
2.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述构件包括多个介电层,并且所述多个介电层中的底部介电层与所述第二密封剂和所述器件管芯物理接触。
3.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述多个器件管芯是逻辑管芯,并且所述构件还包括密封在所述第一密封剂中的存储器堆叠件。
4.根据权利要求1所述的封装件,还包括:
冷却板;
热界面材料,包括与所述多个器件管芯的半导体衬底的表面接触的第一表面和与所述冷却板接触的第二表面;以及
螺钉,穿透所述第二密封剂、所述冷却板和所述热界面材料。
5.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述多个构件形成阵列。
6.根据权利要求5所述的封装件,还包括:
多个功率模块,与所述功率模块处于同一层级,其中,所述多个功率模块以一一对应的方式电耦合至所述多个构件。
7.根据权利要求1所述的封装件,还包括:
金属支架,形成网格;以及
多个螺钉和螺栓,将所述金属支架固定至所述第二互连结构和所述第二密封剂。
8.根据权利要求7所述的封装件,还包括:
插座,接合至所述第二互连结构,所述功率模块连接至所述插座,其中,所述金属支架与所述插座接触。
9.根据权利要求1所述的封装件,还包括:
多个独立的无源器件管芯,密封在所述第二密封剂中。
10.根据权利要求1所述的封装件,还包括:
多个裸管芯,密封在所述第二密封剂中。
11.一种封装件,包括:
构件的阵列,形成阵列,其中,所述构件的阵列中的每个构件包括:
第一模塑料;
逻辑管芯,位于所述第一模塑料中;
存储器管芯,位于所述第一模塑料中;和
中介层,所述中介层包括位于所述逻辑管芯和所述存储器管芯上方的第一互连结构、位于第一互连结构上方的半导体衬底、以及位于半导体衬底中的贯通孔,所述贯通孔通过所述第一互连结构与所述逻辑管芯和所述存储器管芯接合;
第二模塑料,所述构件的阵列位于所述第二模塑料中;
第二互连结构,横向扩展超出所述阵列,其中,所述第二互连结构包括:
多个介电层;和
多条再分布线,位于所述多个介电层中并且电耦合至所述阵列;以及
功率模块,位于所述第二模塑料的外部,其中,所述功率模块电耦合至所述阵列,所述功率模块将调节的功率提供给所述构件,所述功率模块位于所述第二互连结构的与所述构件相对的侧上,
其中,所述再分布线在所述构件上方是连续的,其中所述构件之间的横向通信是通过所述再分布线而不是通过封装衬底和/或印刷电路板来进行。
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