[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，能够抑制内部的温度上升。在引线框(35、36)中，在控制IC(37)和第1半导体芯片、第2半导体芯片(21、22)产生的热在经由控制布线部(35a)和主电流布线部(36a)传导到控制端子部(35b)和主电流端子部(36b)时，传导到设置于控制布线部(35a)和主电流布线部(36a)的受热部(35c、36c)并储存于受热部(35c、36c)。因此，能够抑制引线框(35、36)的特别是控制布线部(35a)和主电流布线部(36a)的从受热部(35c、36c)的安装位置向外侧的部分和控制端子部(35b)和主电流端子部(36b)的温度上升。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体芯片，并用于例如电力转换装置。这样的半导体装置构成为，在使用热塑性树脂而嵌件成型有引线框的壳体中收纳设置有半导体芯片和控制IC(Integrated Circuit：集成电路)等的电路基板，并使用传递成型而利用封装部件进行封装。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-146704号公报

发明内容

技术问题

但是，在上述半导体装置中，因伴随着半导体芯片和控制IC的动作的发热而导致装置内部的热应力增加。由此，有可能导致例如将引线框与半导体芯片和控制IC电连接的键合线的键合位置受到热应力而发生剥离。另外，在通过焊料将外部设备接合到引线框时，可能以引线框、壳体和封装部件这3个部件的界面为起点而发生剥离。因为这种剥离等而导致半导体装置的可靠性降低。

本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制内部的温度上升的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，具有：第1电子部件；第1引线框，其具备与上述第1电子部件电连接的第1布线部和与上述第1布线部一体地连接且被施加电流的第1端子部；壳体，其以使上述第1端子部延伸到外部的方式与上述第1引线框一体成型，并在内部具备将上述第1布线部露出的第1布线区域，且收纳上述第1电子部件；以及封装部件，其对上述壳体内进行封装，上述第1引线框还具备与上述第1布线部连接，且埋设于上述壳体的第1受热部。

发明效果

根据公开的技术，能够抑制内部的温度上升而抑制半导体装置的可靠性降低。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是第1实施方式的半导体装置的截面图。

图3是第1实施方式的半导体装置的侧视图。

图4是用于说明第1实施方式的半导体装置所包含的引线框的制造方法的图。

图5是第2实施方式的半导体装置的截面图。

图6是用于说明第2实施方式的半导体装置所包含的引线框的制造方法的图。

图7是用于说明第1实施方式、第2实施方式的半导体装置所包含的受热部的图。

图8是第3实施方式的半导体装置的截面图。

图9是第3实施方式的半导体装置的侧视图。

图10是第3实施方式的另一半导体装置的截面图。