[发明专利]存储器设备及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

堆叠结构，具有单元区域和缩减区域；

多个垂直沟道结构，每个垂直沟道结构包括存储器单元并且垂直穿过所述单元区域中的所述堆叠结构；以及

多个支撑结构，每个支撑结构具有所述垂直沟道结构中的每个垂直沟道结构的结构并且垂直穿过所述缩减区域中的所述堆叠结构，

其中所述多个支撑结构根据所述缩减区域中的所述堆叠结构的形状而具有不同的高度。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述堆叠结构包括被交替地堆叠在基底上的第一材料层和第二材料层。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，

其中所述基底包括半导体衬底、外围电路和源极结构中的至少一个；

其中所述第一材料层包括绝缘层；以及

其中所述第二材料层包括导电层。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中形成在所述缩减区域中的所述堆叠结构具有阶梯结构。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述支撑结构中的每个支撑结构包括垂直穿过所述堆叠结构的垂直孔的内表面而顺序形成的存储器层、沟道层和垂直绝缘层。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述存储器层包括沿着所述垂直孔的所述内表面以中空柱形而顺序形成的阻挡层、俘获层和隧道绝缘层。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，

其中所述阻挡层和所述隧道绝缘层中的每个层由绝缘层形成；以及

其中所述俘获层由能够俘获电荷的材料形成。

8.根据权利要求5所述的存储器设备，

其中所述沟道层包括多晶硅层，所述多晶硅层沿着所述存储器层的内表面以中空柱形形成；以及

其中所述垂直绝缘层包括在所述沟道层内部以柱形形成的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述支撑结构根据所述堆叠结构的高度而具有不同的高度。

10.一种存储器设备，包括：

第一堆叠结构，限定单元区域和缩减区域；

第二堆叠结构，限定所述单元区域和所述缩减区域，其中所述第二堆叠结构堆叠在所述第一堆叠结构上；

多个垂直沟道结构，穿过所述单元区域中的所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构；以及

多个支撑结构，每个支撑结构具有所述垂直沟道结构中的每个垂直沟道结构的结构并且穿过所述缩减区域中的所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构，

其中所述多个支撑结构根据所述缩减区域中形成的所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构的形状而具有不同的高度。

11.根据权利要求10所述的存储器设备，

其中所述第一堆叠结构包括交替地堆叠在基底上的第一材料层和第二材料层；以及

其中所述第二堆叠结构包括交替地堆叠在所述第一堆叠结构上的第三材料层和第四材料层。

12.根据权利要求11所述的存储器设备，其中在所述缩减区域中，所述第三材料层和所述第四材料层成对形成阶梯形状，并且所述第一材料层和所述第二材料层成对形成阶梯形状。

13.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述多个支撑结构根据所述缩减区域中形成的所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构的高度而具有不同的高度。

14.根据权利要求13所述的存储器设备，其中支撑结构的高度是从所述支撑结构的底部到所述支撑结构的顶部的所述支撑结构的长度。