[发明专利]存储器设备及其制造方法在审
申请号: | 202010597207.7 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112614851A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 李南宰 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 设备 及其 制造 方法 | ||
本公开的实施例总体上涉及一种存储器设备及其制造方法,该存储器设备包括具有单元区域和缩减区域的堆叠结构。该存储器设备还包括多个垂直沟道结构,每个垂直沟道结构包括存储器单元并且垂直穿过单元区域中的堆叠结构。该存储器设备还包括多个支撑结构,每个支撑结构具有每个垂直沟道结构的结构并且垂直穿过缩减区域中的堆叠结构。多个支撑结构根据缩减区域中的堆叠结构的形状而具有不同的高度。
本申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2019年10月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0123129号的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的各个实施例总体上涉及一种存储器设备及其制造方法,更具体涉及一种包括沿垂直于衬底的方向堆叠的存储器单元的存储器设备及制造该存储器设备方法。
背景技术
相关技术
存储器设备可以包括易失性存储器,当电力中断时,该易失性存储器所存储的数据会丢失。存储器设备还可以包括非易失性存储器,即使电力中断,该非易失性存储器所存储的数据也会保留。
随着诸如蜂窝电话和笔记本电脑之类的便携式电子设备的日益普及,需要容量和集成度增加的非易失性存储器设备。
进一步提高包括单个层中的衬底上形成的存储器单元的二维非易失性存储器设备的集成度的潜力有限。因此,已经提出了包括衬底上沿垂直方向堆叠的存储器单元的三维(3D)非易失性存储器设备。
发明内容
根据本公开的实施例,提供了一种存储器设备,其包括具有单元区域和缩减区域的堆叠结构。该存储器设备还包括多个垂直沟道结构,每个垂直沟道结构包括存储器单元并且垂直穿过单元区域中的堆叠结构。该存储器设备还包括多个支撑结构,每个支撑结构具有与每个垂直沟道结构的结构相同的结构,并且垂直穿过缩减区域中的堆叠结构。多个支撑结构根据缩减区域中的堆叠结构的形状而具有不同的高度。
根据本公开的实施例,提供一种存储器设备,其包括第一堆叠结构,该第一堆叠结构限定单元区域和缩减区域。该存储器设备还包括第二堆叠结构,该第二堆叠结构限定单元区域和缩减区域,其中第二堆叠结构堆叠在第一堆叠结构上。该存储器设备还包括穿过单元区域中的第一堆叠结构和第二堆叠结构的多个垂直沟道结构。该存储器设备还包括多个支撑结构,每个支撑结构具有与每个垂直沟道结构的结构相同的结构,并且穿过缩减区域中的第一堆叠结构和第二堆叠结构。多个支撑结构根据缩减区域中形成的第一堆叠结构和第二堆叠结构的形状而具有不同的高度。
根据本公开的实施例,提供一种存储器设备的制造方法。该方法包括提供:提供具有单元区域和缩减区域的堆叠结构。该方法还包括:在单元区域中的堆叠结构中形成垂直沟道结构。该方法还包括:在与形成垂直沟道结构同时,在缩减区域中的堆叠结构中形成支撑结构,每个支撑结构具有与垂直沟道结构中的每个垂直沟道结构相同的结构。该方法还包括:执行缩减工艺,以使缩减区域中的堆叠结构和支撑结构具有阶梯结构。
附图说明
图1是图示了根据本公开的实施例的存储器设备的图。
图2是用于描述根据实施例的存储器单元阵列与外围电路之间的布置的图。
图3是图示了根据实施例的包括各自具有三维结构的存储器块的存储器单元阵列的图。
图4是用于描述根据实施例的存储器块的配置以及存储器块与外围电路之间的连接关系的图。
图5是图示了根据实施例的单元区域和缩减区域的布局的图。
图6至图13是用于描述根据本公开的第一实施例的制造存储器设备的方法的图。
图14是图示了根据本公开的第一实施例的完整的存储器设备的结构的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的