[发明专利]前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头在审

专利信息
申请号: 202010597474.4 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN111682041A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 周天燊;马书英;刘轶;宋昆树 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/225
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 马振华
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 前照式 图像传感器 及其 封装 方法 摄像头
【说明书】:

发明提供一种前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头,其中,前照式图像传感器包括:玻璃基板、焊垫、焊接部、滤镜透镜阵列以及透明钝化层;焊垫设置于玻璃基板的受光面,焊接部设置于玻璃基板的背光面,玻璃基板上开设有贯通其受光面和背光面的通孔,穿过通孔的互连线路连接焊垫和焊接部,滤镜透镜阵列置于玻璃基板的受光面,透明钝化层覆盖玻璃基板受光面上的滤镜透镜阵列。本发明改善了前照式图像传感器进光量少、噪点大、信噪比低等问题,进一步减小图像传感器封装后的的尺寸,以及克服目前高深宽比TSV的低温介电层沉积问题。同时,使得封装出来的前照式图像传感器具有一定透光率,达到一定的透明度,可结合应用到屏下摄像头中。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头。

背景技术

图像传感器作为一种将光学信号转化为电子信号的工具,广泛应用于手机、汽车传感器、安防系统等方面。目前,CMOS图像传感器(CMOS image sensor,CIS)在图像传感器领域取得重大进展,其具有能耗低、集成度高等特点。

然而,现有的CMOS图像传感器,当光线射入像素,经过了片上透镜和彩色滤光片后,先通过金属排线层,最后光线才被光电二极管接收,造成单像素进光量少、噪点大、信噪比低等问题。

此外,现有的CMOS图像传感器的封装有基于封装基板的(chip on board,COB)与基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的晶圆级芯片封装(Wafer Level Chip ScalePackaging,WLCSP)两种,对于这两种封装形式都存在一些难以克服的工艺难点,比如COB封装中的封装体积和良率控制,WLCSP封装中高深宽比TSV的低温介电层沉积等。因此,针对上述问题,有必要提出进一步地解决方案。

发明内容

本发明旨在提供一种前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头,以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:

一种前照式图像传感器,其包括:玻璃基板、焊垫、焊接部、滤镜透镜阵列以及透明钝化层;

所述焊垫设置于所述玻璃基板的受光面,所述焊接部设置于所述玻璃基板的背光面,所述玻璃基板上开设有贯通其受光面和背光面的通孔,穿过所述通孔的互连线路连接所述焊垫和焊接部,所述滤镜透镜阵列置于所述玻璃基板的受光面,所述透明钝化层覆盖所述玻璃基板受光面上的滤镜透镜阵列。

作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述通孔为与所述玻璃基板的两面相垂直的直孔。

作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述通孔的开设位置与所述焊垫的位置对应设置。

作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述互连线路包括填充于所述通孔中的钛/铜种子层以及设置于所述玻璃基板背光面上的RDL层。

作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述玻璃基板背光面上还设置有覆盖所述RDL层的阻焊层。

作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述透明钝化层与焊垫之间还设置有晶圆功能层。

作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述透明钝化层为一透明钝化胶层。

作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述焊接部为凸点或者锡球。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:

一种前照式图像传感器的封装方法,其包括:

将晶圆上具有焊垫的受光面与一玻璃基板键合在一起;

对晶圆的背光面进行减薄;

在晶圆的受光面制作色彩滤镜阵列和微透镜阵列;

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