[发明专利]前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头在审
申请号: | 202010597474.4 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111682041A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 周天燊;马书英;刘轶;宋昆树 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 马振华 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 前照式 图像传感器 及其 封装 方法 摄像头 | ||
本发明提供一种前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头,其中,前照式图像传感器包括:玻璃基板、焊垫、焊接部、滤镜透镜阵列以及透明钝化层;焊垫设置于玻璃基板的受光面,焊接部设置于玻璃基板的背光面,玻璃基板上开设有贯通其受光面和背光面的通孔,穿过通孔的互连线路连接焊垫和焊接部,滤镜透镜阵列置于玻璃基板的受光面,透明钝化层覆盖玻璃基板受光面上的滤镜透镜阵列。本发明改善了前照式图像传感器进光量少、噪点大、信噪比低等问题,进一步减小图像传感器封装后的的尺寸,以及克服目前高深宽比TSV的低温介电层沉积问题。同时,使得封装出来的前照式图像传感器具有一定透光率,达到一定的透明度,可结合应用到屏下摄像头中。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头。
背景技术
图像传感器作为一种将光学信号转化为电子信号的工具,广泛应用于手机、汽车传感器、安防系统等方面。目前,CMOS图像传感器(CMOS image sensor,CIS)在图像传感器领域取得重大进展,其具有能耗低、集成度高等特点。
然而,现有的CMOS图像传感器,当光线射入像素,经过了片上透镜和彩色滤光片后,先通过金属排线层,最后光线才被光电二极管接收,造成单像素进光量少、噪点大、信噪比低等问题。
此外,现有的CMOS图像传感器的封装有基于封装基板的(chip on board,COB)与基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的晶圆级芯片封装(Wafer Level Chip ScalePackaging,WLCSP)两种,对于这两种封装形式都存在一些难以克服的工艺难点,比如COB封装中的封装体积和良率控制,WLCSP封装中高深宽比TSV的低温介电层沉积等。因此,针对上述问题,有必要提出进一步地解决方案。
发明内容
本发明旨在提供一种前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头,以克服现有技术中存在的不足。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:
一种前照式图像传感器,其包括:玻璃基板、焊垫、焊接部、滤镜透镜阵列以及透明钝化层;
所述焊垫设置于所述玻璃基板的受光面,所述焊接部设置于所述玻璃基板的背光面,所述玻璃基板上开设有贯通其受光面和背光面的通孔,穿过所述通孔的互连线路连接所述焊垫和焊接部,所述滤镜透镜阵列置于所述玻璃基板的受光面,所述透明钝化层覆盖所述玻璃基板受光面上的滤镜透镜阵列。
作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述通孔为与所述玻璃基板的两面相垂直的直孔。
作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述通孔的开设位置与所述焊垫的位置对应设置。
作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述互连线路包括填充于所述通孔中的钛/铜种子层以及设置于所述玻璃基板背光面上的RDL层。
作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述玻璃基板背光面上还设置有覆盖所述RDL层的阻焊层。
作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述透明钝化层与焊垫之间还设置有晶圆功能层。
作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述透明钝化层为一透明钝化胶层。
作为本发明的前照式图像传感器的改进,所述焊接部为凸点或者锡球。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:
一种前照式图像传感器的封装方法,其包括:
将晶圆上具有焊垫的受光面与一玻璃基板键合在一起;
对晶圆的背光面进行减薄;
在晶圆的受光面制作色彩滤镜阵列和微透镜阵列;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的