[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号： | 202010597544.6 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151464A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 金东奎;朴正镐;金钟润;张延镐;张在权 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；
阻挡层，其布置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片上，并且包括开口，所述第一半导体芯片的至少一部分通过所述开口暴露出来；以及
热传递部分，其布置在所述阻挡层上，沿着所述阻挡层的上表面延伸并且填充所述开口。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分的厚度大于所述阻挡层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分在所述第一半导体芯片上的厚度实质上等于所述热传递部分在所述阻挡层上的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分在所述第一半导体芯片上的厚度大于所述热传递部分在所述阻挡层上的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述阻挡层包括光敏聚合物。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分包括粘合金属层和布置在所述粘合金属层的上表面上的热传递材料层，并且底切区形成在所述粘合金属层的端部。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述热传递材料层包括铜。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过所述衬底彼此电连接。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片是逻辑芯片，并且所述第二半导体芯片是存储器芯片。
10.一种半导体封装件，包括：
第一半导体芯片，其布置在衬底上；
第二半导体芯片，其布置在所述衬底上，并且与所述第一半导体芯片间隔开；以及
热传递部分，其布置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片上，与所述第一半导体芯片直接接触，并且不与所述第二半导体芯片接触。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分在所述第一半导体芯片上的厚度实质上等于所述热传递部分在所述第二半导体芯片上的厚度。
12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分在所述第一半导体芯片上的厚度大于所述热传递部分在所述第二半导体芯片上的厚度。
13.根据权利要求10所述的半导体封装件，还包括：
所述第二半导体芯片与所述热传递部分之间的阻挡层。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，所述阻挡层包括光敏聚合物。
15.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分的厚度大于所述阻挡层的厚度。
16.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，底切区形成在所述热传递部分的端部。
17.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过所述衬底彼此电连接。
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