[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

提供了器件和方法，其中通过磁屏蔽层使诸如磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片的磁敏半导体芯片被屏蔽以免受磁干扰。器件包括限定外表面的壳体。半导体芯片设置在壳体内，并且半导体芯片与壳体的外表面间隔开。磁屏蔽层与半导体芯片间隔开小于5mm的距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

在存在诸如可以由磁体等生成的磁场的情况下，一些电子器件可能经历操作问题，并且有时出现故障。例如，外部磁场可能导致操作窗口偏移或磁敏芯片或器件中的存储数据错误，这会导致读取或写入故障。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：壳体，限定外表面；半导体芯片，位于所述壳体内，并且所述半导体芯片与所述壳体的所述外表面间隔开；以及磁屏蔽层，所述磁屏蔽层与所述半导体芯片间隔开小于5mm的距离。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；半导体器件封装件，位于所述衬底上，所述半导体器件封装件包括至少部分地由密封剂围绕的磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片；以及磁屏蔽层，位于所述半导体器件封装件上。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将半导体器件封装件电和机械地耦合至印刷电路板(PCB)，所述半导体器件封装件包括至少部分地由密封剂围绕的半导体芯片；将所述半导体器件封装件固定在电子器件的壳体内；以及将磁屏蔽层附接至所述壳体或所述半导体器件封装件中的一个。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A是根据一些实施例的示意性地示出具有磁屏蔽层的器件的截面图。

图1B是根据一些实施例的示意性地示出半导体芯片和图1A中所示的器件的磁屏蔽层的相对定位的顶视平面图。

图2A是根据一些实施例的示出具有三层结构的磁屏蔽层的截面图。

图2B是根据一些实施例的示出具有多层结构的磁屏蔽层的截面图。

图3是根据一些实施例的示出当磁屏蔽层的磁导率改变时的磁通密度的变化的图。

图4是根据一些实施例的示意性地示出具有磁屏蔽层的电子器件的截面图。

图5至图10是根据一些实施例的示意性地示出具有设置在各种不同位置或布置中的磁屏蔽层的电子器件的截面图。

图11是根据一些实施例的示出针对未屏蔽器件和针对包括磁屏蔽层的器件的由于磁场的误码率的实验结果的图。

图12是根据一些实施例的示出制造具有磁屏蔽层的电子器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然，这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个实例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。