[发明专利]一种半导体硅晶圆旋转光刻机在审

专利信息
申请号: 202010599005.6 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN111562727A 公开(公告)日: 2020-08-21
发明(设计)人: 王佩 申请(专利权)人: 广东万合新材料科技有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 广东省畅欣知识产权代理事务所(普通合伙) 44631 代理人: 齐军彩
地址: 510700 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 硅晶圆 旋转 光刻
【说明书】:

发明公开了一种半导体硅晶圆旋转光刻机,其结构包括支撑台、工作台、配电箱、激光台、光刻台,工作台嵌固在支撑台顶部,配电箱安装在工作台的顶部且右侧与激光台相连接,激光台固定在工作台顶部,光刻台设于激光台底部,且底部固定在工作台顶部,通过限位装置对硅晶圆在光刻台的位置进行限位,防止转盘带动硅晶圆高速旋转,由于硅晶圆表面为光滑面,且表面进行覆膜处理容易进行移动,随着转盘旋转时受到离心力作用,位置易发生偏移而导致激光束不能准确对其表面进行光刻,使得硅晶圆的不能使用到半导体的制造中,且通过齿牙和缓冲块,对加工时高速旋转的硅晶圆进行缓冲,防止受到冲力与光刻台内壁碰撞而破裂。

技术领域

本发明属于半导体光刻机领域,更具体的说,尤其涉及到一种半导体硅晶圆旋转光刻机。

背景技术

在制造半导体材料时,硅晶圆是重要的材料之一,不同的半导体材料的制造,需要不同的硅晶圆,其中部分的硅晶圆需要在其表面进行光刻处理,将硅晶圆放置在旋转的光刻机上,使用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化,完成硅晶圆表面的光刻;现有技术中旋转光刻机对硅晶圆进行光刻处理时,旋转盘带动硅晶圆高速旋转,由于硅晶圆表面为光滑面,且表面进行覆膜处理容易进行移动,随着旋转盘旋转时受到离心力作用,位置易发生偏移而导致激光束不能准确对其表面进行光刻,使得硅晶圆的不能使用到半导体的制造中。

发明内容

为了解决上述技术旋转光刻机对硅晶圆进行光刻处理时,旋转盘带动硅晶圆高速旋转,由于硅晶圆表面为光滑面,且表面进行覆膜处理容易进行移动,随着旋转盘旋转时受到离心力作用,位置易发生偏移而导致激光束不能准确对其表面进行光刻,使得硅晶圆的不能使用到半导体的制造中,本发明提供一种半导体硅晶圆旋转光刻机。

为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种半导体硅晶圆旋转光刻机,其结构包括支撑台、工作台、配电箱、激光台、光刻台,所述工作台嵌固在支撑台顶部,所述配电箱安装在工作台的顶部且右侧与激光台相连接,所述激光台固定在工作台顶部,所述光刻台设于激光台底部,且底部固定在工作台顶部。

所述光刻台设有轴承、转盘、限位装置,所述轴承贯穿在转盘中部与光刻台相连接,所述限位装置固定在光刻台内壁且位于转盘两侧。

作为本发明的进一步改进,所述限位装置由固定杆、卡槽、复位弹簧、连杆、限位块组成,所述卡槽凹陷在固定杆的中部,所述复位弹簧分别固定在固定杆上下内壁,所述连杆的右端贯穿在卡槽内部且与复位弹簧活动卡合,所述限位块固定在连杆的底部,所述固定杆内部为空心结构,所述连杆的长短可根据硅晶圆的直径大小进行调节。

作为本发明的进一步改进,所述限位块设有连接块、凹槽、弹簧、伸缩块、底槽、导热装置,所述连接块固定在限位块顶部,所述凹槽和底槽均凹陷在限位块底部,所述凹槽位于底槽右侧,所述伸缩块通过弹簧与凹槽内壁活动卡合,所述导热装置与底槽内壁活动卡合,所述导热装置设有四个,水平均匀分布在限位块底部。

作为本发明的进一步改进,所述伸缩块设有开口、缓冲块、夹板、弹块、齿牙,所述开口开设在伸缩块左侧,所述缓冲块固定在伸缩块底部,所述夹板右端与开口左侧活动卡合,且顶部通过弹块与开口顶部活动卡合,所述齿牙嵌固在夹板底部和开口左侧,所述缓冲块为硅胶材质。

作为本发明的进一步改进,所述导热装置由支撑杆、导热块、卡块、衔接块、连接杆、导热管组成,所述支撑杆底部通过衔接块与导热块顶部相连接,所述卡块固定在导热块两侧,所述连接杆贯穿在支撑杆衔接块中部,且底部与导热块顶部相连接,所述导热管贯穿在连接杆中部与导热块相连接,所述导热块为圆形状的金属材质。

作为本发明的进一步改进,所述导热块设有接触块槽、接触块、导热板、橡胶块、导热线,所述接触块槽凹陷在导热块中部,所述接触块顶部通过橡胶块与接触块槽内壁活动卡合,所述导热板固定在接触块底部,所述导热线连接在接触块之间,所述导热板表面为石墨烯材质。

有益效果

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