[发明专利]磁性随机存储单元的字线电源控制电路

权利要求书

1.一种磁性随机存储器的字线电源控制电路，其包括读写控制电路，所述读写控制电路包括读控制开关与写控制开关的输入端分别用以获取字线读信号或字线写信号，输出端电性耦接与存储单元阵列连接的字线译码器，其特征在于，逻辑控制电路连接于所述读写控制电路与所述字线译码器之间，所述逻辑控制电路包括：

第一部分电路，包括第一或非门与接地开关管，所述接地开关管设置于所述读写控制电路的输出端与接地之间，所述第一或非门输入端获取读触发信号与写触发信号，输出端连接所述接地开关管；

第二部分电路，由所述读写控制电路的输出端至所述写控制开关的控制端，依序连接三输入与非门、第一反向器、第二或非门与第二反向器，所述第二或非门的一输入端连接所述第一或非门的输出端，所述三输入与非门的二个输入端分别连接写控制信号与读触发信号；

所述读控制开关的控制端获取读控制信号，所述写控制开关的控制端获取由所述逻辑控制电路产生的写控制反馈信号。

2.如权利要求1所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，所述读控制开关与所述写控制开关为PMOS开关管。

3.如权利要求1所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，当存储单元不进行读写操作时，所述写触发信号与所述读触发信号均为低电平信号，所述写控制信号为高电平信号；

所述第一或非门输出端为高电平，所述读控制信号与所述写控制反馈信号均为高电平，所述读控制开关与所述写控制开关均为截止，所述接地开关管为导通，所述读写控制电路的输出端为低电平。

4.如权利要求1所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，当写触发信号为高电平信号，所述写控制信号与读触发信号均为低电平信号，所述三输入与非门的输出端为高电平；所述第一或非门的输出端为低电平。

5.如权利要求4所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，所述写控制反馈信号为低电平，所述写控制开关将所述字线写信号作为输出，所述字线译码器将字线写信号传递到所选中的单元字线。

6.如权利要求1所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，当读触发信号为高电平信号，所述读触发信号与写控制信号均为高电平信号，所述写触发信号为低电平信号，所述读控制开关导通，所述第一或非门的输出端为低电平；所述写控制反馈信号的电平由所述所述三输入与非门的输出端的输出结果而定。

7.如权利要求1所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，所述三输入与非门包括三个PMOS开关管、三个NMOS开关管与扩展NMOS开关管，所述三个PMOS开关管的源极连接电源端，漏极连接为所述三输入与非门的输出端；所述三个NMOS开关管串接于所述三输入与非门的输出端与接地之间；所述三个PMOS开关管与所述三个NMOS开关管以相异开关管成组配对的方式，各组开关管的控制端分别的连接至所述读写控制电路的输出端、所述读触发信号与所述写控制信号；所述扩展NMOS开关管连接于三个NMOS开关管中，两相邻NMOS开关管的接点与所述电源之间，所述扩展NMOS开关管的控制端连接所述三输入与非门的输出端。

8.如权利要求7所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，在读开始时，所述读写控制电路的输出端为0电平，所述三输入与非门的输出端为高电平，所述扩展NMOS开关管导通，并且所述读写控制电路的输出端对应的NMOS开关管，其源极电位为所述电源电压至所述扩展NMOS开关管的阈值电压之间，所述写控制反馈信号为0电平，所述写控制开关与所述读控制开关同时导通，所述字线读信号与所述字线写信号输出至所述字线译码器选中字线，对其进行充电。

9.如权利要求8所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，当所述读写控制电路的输出端的电平上升到一定电平时，所述三输入与非门的输出结果为低电平，所述写控制反馈信号为高电平，所述写控制开关截止；所述字线读信号输出至所述字线译码器选中的的字线充电，直到所选中单元字线上升到所述字线读信号的电位。

10.如权利要求7所述磁性随机存储器的字线电源控制电路，其特征在于，通过提升所述扩展NMOS开关管的宽长比与选取低阈值电压类型的NMOS场效应晶体管中至少一者，以提升所述写控制反馈信号的脉冲宽度，从而延迟所述写控制开关的截至时间；或者，通过降低所述扩展NMOS开关管的宽长比与选取高阈值电压类型的NMOS场效应晶体管中至少一者，以降低所述写控制反馈信号的脉冲宽度，从而缩短所述写控制开关的截至时间。