[发明专利]一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法

说明书

本申请涉及半导体结构，包括半导体基底和形成于基底上的接触孔；所述接触孔包括上部和下部，并且所述上部的尺寸小于所述下部的尺寸以使得所述上部和下部构成上窄下宽的竖直截面为“凸”字形状。本申请的结构及其制造方法能够解决在高深宽比或小孔的开孔工艺中所存在的开孔不充分或开孔存在斜坡刻蚀轮廓的问题，并且能够有效控制顶底关键尺寸比例等于或者接近理想比例数值1.0。

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造方法，特别是一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法，尤其是一种具有高深宽比结构的接触孔及其制造方法。

背景技术

随着半导体器件功能日趋复杂，其结构也变得越来越多样化。其中深宽比(AspectRatio)已成为器件结构的重要参数之一，在新型半导体器件中已有多种结构具有高深宽比(High Aspect Ratio)，例如高深宽比接触孔(High Aspect Ratio Contact，HARC)、自对准接触孔(Self-aligned Contact，SAC)等。由于此类结构的深宽比很大，制程工艺复杂，期间存在很多困难和问题。例如，高深宽比孔的开孔(Open)，往往因其深宽比过大而导致底部不能充分刻蚀(Under Etch/Incomplete Etch)进而造成底部开孔不充分(Not-Open)，出现斜坡刻蚀轮廓(Slope Etch Profile)。而为了克服底部不能充分刻蚀开孔和斜坡刻蚀轮廓的问题，又会矫枉过正而造成过刻蚀(Over Etch)的情况，进而导致孔壁出现弓形(Bowing)问题。

可见，保证高深宽比接触孔的底部充分开孔及其关键尺寸，使得顶部和底部的关键尺寸比(Top/Bottom CD Ratio)达到或者接近理想数值1.0，是一个亟待解决的问题。

发明内容

本申请的目的是通过以下技术方案实现的：

根据一个或多个实施例，本申请还公开了一种半导体结构，其特征在于：包括，

半导体基底和其上的层间介质层；

位于所述层间介质层上的孔；

所述孔包括上部和下部，并且所述上部的尺寸小于所述下部的尺寸；在所述上部的外侧具有侧墙。

根据一个或多个实施例，本申请还公开了一种半导体结构的制造方法，其特征在于：

提供半导体基底，在所述半导体基底上形成层间介质层；

刻蚀所述层间介质层以形成孔；

在所述孔的下部形成牺牲层；

在所述牺牲层上的所述孔的侧壁上形成侧墙。

本申请的结构及其制造方法能够解决在高深宽比或小孔的开孔工艺中所存在的开孔不充分或开孔存在斜坡刻蚀轮廓的问题，并且能够有效控制顶底关键尺寸比例等于或者接近理想比例数值1.0。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1-6是本申请实施方式的制造方法的截面示意图。

具体实施方式