[发明专利]扇出线结构、显示面板和显示装置在审
| 申请号： | 202010600945.2 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111667765A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 曹志浩;唐维 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G09G3/20 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 出线 结构 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种扇出线结构，其特征在于，包括第一布线层、第二布线层和扇出线；
所述第一布线层与所述第二布线层平行设置；
所述扇出线包括多对第一扇出线和第二扇出线；
所述第一扇出线设置在所述第一布线层；
所述第二扇出线设置在所述第二布线层；
每条所述第一扇出线上设置有对应的第一阻抗单元；
每条所述第二扇出线上设置有对应的第二阻抗单元；
所述第一阻抗单元上设置有第一离子植入区域，用于植入离子进而改变所述第一阻抗单元的阻值；
所述第二阻抗单元上设置有第二离子植入区域，用于植入离子进而改变所述第二阻抗单元的阻值。
2.根据权利要求1所述的扇出线结构，其特征在于，所述第一阻抗单元包括第一多晶电阻；
所述第二阻抗单元包括第二多晶电阻；
所述第一多晶电阻的体积随着所述第一扇出线的长度的增加而减小；
所述第二多晶电阻的体积随着所述第二扇出线的长度的增加而减小。
3.根据权利要求1所述的扇出线结构，其特征在于，所述第一阻抗单元包括第三多晶电阻；
所述第二阻抗单元包括第四多晶电阻；
所述第三多晶电阻中多晶的植入量随着所述第一扇出线的长度的增加而减小；
所述第四多晶电阻中多晶的植入量随着所述第二扇出线的长度的增加而减小。
4.根据权利要求1所述的扇出线结构，其特征在于，所述离子为N型离子和/或P型离子。
5.根据权利要求1所述的扇出线结构，其特征在于，所述第一离子植入区域的大小根据所述第一布线层的厚度确定；
所述第二离子植入区域的大小根据所述第二布线层的厚度确定。
6.一种显示面板，其特征在于，包括基板、扫描线、驱动电路和扇出线结构；
所述扫描线设置在所述基板的显示区域；
所述驱动电路用于驱动所述扫描线；
所述扇出线结构设置在所述驱动电路与所述扫描线之间；
所述扇出线结构包括第一布线层、第二布线层和扇出线；
所述第一布线层与所述第二布线层平行设置；
所述扇出线包括多对第一扇出线和第二扇出线；
所述第一扇出线设置在所述第一布线层；
所述第二扇出线设置在所述第二布线层；
每条所述第一扇出线上设置有对应的第一阻抗单元；
每条所述第二扇出线上设置有对应的第二阻抗单元；
所述第一阻抗单元上设置有第一离子植入区域，用于植入离子进而改变所述第一阻抗单元的阻值；
所述第二阻抗单元上设置有第二离子植入区域，用于植入离子进而改变所述第二阻抗单元的阻值。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一阻抗单元包括第一多晶电阻；
所述第二阻抗单元包括第二多晶电阻；
所述第一多晶电阻的体积随着所述第一扇出线的长度的增加而减小；
所述第二多晶电阻的体积随着所述第二扇出线的长度的增加而减小。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一阻抗单元包括第三多晶电阻；
所述第二阻抗单元包括第四多晶电阻；
所述第三多晶电阻中多晶的植入量随着所述第一扇出线的长度的增加而减小；
所述第四多晶电阻中多晶的植入量随着所述第二扇出线的长度的增加而减小。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述离子为N型离子和/或P型离子。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-9任一项所述的显示面板。
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