[发明专利]扇出线结构、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202010600945.2 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111667765A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 曹志浩;唐维 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G09G3/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 出线 结构 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种扇出线结构、显示面板和显示装置。该扇出线结构包括第一布线层、第二布线层和扇出线。第一布线层与第二布线层平行设置。扇出线包括多对第一扇出线和第二扇出线。第一扇出线设置在第一布线层。第二扇出线设置在第二布线层。每条第一扇出线上设置有对应的第一阻抗单元。每条第二扇出线上设置有对应的第二阻抗单元。第一阻抗单元上设置有第一离子植入区域,用于植入离子进而改变第一阻抗单元的阻值。第二阻抗单元上设置有第二离子植入区域,用于植入离子进而改变第二阻抗单元的阻值。本发明提供的扇出线结构采用双层布线能够满足大尺寸显示面板高分辨率的数据走线需求。通过在扇出线上设置阻抗单元能够平衡扇出线的阻抗差异。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种扇出线结构、显示面板和显示装置。
背景技术
在低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon,简称为LTPS)显示领域,因LTPS有高开口率和高解析度的优点,越来越多的中尺寸甚至大尺寸显示面板倾向使用LTPS制造技术。
然而中大尺寸显示面板对于数据走线的阻抗均一性要求很高,尤其大尺寸显示面板领域,在高分辨率的年代,原有的扇出(Fanout)单层金属走线已经不能满足数据走线的需求。一般在中小尺寸显示设计中,使用单层金属,因为显示面板尺寸小,显示面板不同位置阻抗差异很小,在可以接受的范围之内。然而随着显示面板的持续增大,如图1所示,斜线11处的距离也随着增加,且显示面板的分辨率增加,同样大小的空间内,数据走线的需求也变多,大尺寸高分辨率产品在扇出处设计受到限制,需要设计优化改善。
因此,如何降低因为显示面板尺寸、分辨率的增大对数据走线阻抗均匀性的影响、优化扇出线结构成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种扇出线结构、显示面板和显示装置,以解决由于显示面板尺寸、分辨率的增大导致数据走线阻抗均匀性降低的问题。
为此,本发明实施例提供了如下技术方案:
本发明第一方面提供了一种扇出线结构,包括第一布线层、第二布线层和扇出线;
所述第一布线层与所述第二布线层平行设置;
所述扇出线包括多对第一扇出线和第二扇出线;
所述第一扇出线设置在所述第一布线层;
所述第二扇出线设置在所述第二布线层;
每条所述第一扇出线上设置有对应的第一阻抗单元;
每条所述第二扇出线上设置有对应的第二阻抗单元;
所述第一阻抗单元上设置有第一离子植入区域,用于植入离子进而改变所述第一阻抗单元的阻值;
所述第二阻抗单元上设置有第二离子植入区域,用于植入离子进而改变所述第二阻抗单元的阻值。
进一步地,所述第一阻抗单元包括第一多晶电阻;
所述第二阻抗单元包括第二多晶电阻;
所述第一多晶电阻体积随着所述第一扇出线的长度的增加而减小;
所述第二多晶电阻体积随着所述第二扇出线的长度的增加而减小。
进一步地,所述第一阻抗单元包括第三多晶电阻;
所述第二阻抗单元包括第四多晶电阻;
所述第三多晶电阻中多晶的植入量随着所述第一扇出线的长度的增加而减小;
所述第四多晶电阻中多晶的植入量随着所述第二扇出线的长度的增加而减小。
进一步地,所述离子为N型离子和/或P型离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010600945.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。