[发明专利]半导体存储器装置及操作半导体存储器装置的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置被配置为在控制器的控制下进行操作，并且该半导体存储器装置包括：

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为存储逻辑数据并响应于所述逻辑数据的输出命令而基于所述逻辑数据生成多条循环数据，所述输出命令是从所述控制器接收的；以及

数据输入/输出电路，所述数据输入/输出电路被配置为在所述多条循环数据当中选择与设定的预热周期相对应的循环数据并向所述控制器输出所选择的循环数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑包括：

逻辑数据储存器，所述逻辑数据储存器被配置为存储所述逻辑数据；

循环数据发生器，所述循环数据发生器被配置为基于所述逻辑数据来生成与多个预热周期相对应的多条循环数据，并将所述循环数据输出至所述数据输入/输出电路；

参数储存器，所述参数储存器被配置为存储设定的预热周期值；以及

控制信号发生器，所述控制信号发生器被配置为基于所述设定的预热周期值来生成用于控制所述数据输入/输出电路的操作的控制信号。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述循环数据发生器通过将被重复的所述逻辑数据循环移位多个预热周期值来生成所述多条循环数据。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述数据输入/输出电路基于所述控制信号来选择所述多条循环数据中的任何一条循环数据。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，

其中，所述多条循环数据包括第一循环数据至第n循环数据，所述控制信号包括第一控制信号至第n控制信号，并且所述多个预热周期包括第一预热周期至第n预热周期，

其中，当所述设定的预热周期为所述第一预热周期至所述第n预热周期当中的第i预热周期时，所述控制信号发生器生成具有值1的第i控制信号以及各自具有值0的第一控制信号至第i-1控制信号以及第i+1控制信号至第n控制信号，并且

其中，n是大于1的整数，并且i是大于0且小于n的整数。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述数据输入/输出电路包括：

第一个第一逻辑门至第n个第一逻辑门，所述第一个第一逻辑门至所述第n个第一逻辑门被配置为接收所述第一循环数据至所述第n循环数据中的任何一个循环数据以及与所述第一循环数据至所述第n循环数据相对应的所述第一控制信号至所述第n控制信号中的对应的控制信号并对所述任何一个循环数据和所述对应的控制信号执行与逻辑运算；以及

第二逻辑门，所述第二逻辑门被配置为接收所述第一个第一逻辑门至所述第n个第一逻辑门的输出并执行或逻辑运算。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，

其中，所述逻辑数据包括第零数据至第k-1数据，

其中，与具有值j的预热周期相对应的循环数据包括第k-j数据至第k-1数据以及顺序输出的第零数据至第k-1数据，并且

其中，j是等于或大于0的整数，并且k是大于1的整数。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述j为0、1、2和4中的任意一个值。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述逻辑数据的输出命令是ReadID命令和Get Feature命令中的任何一个。

10.一种操作被配置为与控制器通信的半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

从所述控制器接收逻辑数据的输出命令；

基于所述逻辑数据来生成多条循环数据；

在所述多条循环数据当中选择与设定的预热周期相对应的循环数据；以及

输出所选择的循环数据。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过将被重复的所述逻辑数据循环移位相应的预热周期值来生成所述多条循环数据中的每一条。