[发明专利]半导体存储器装置及操作半导体存储器装置的方法在审
申请号: | 202010602296.X | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN112825255A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | 具滋允;玉成华 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/22 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 操作 方法 | ||
半导体存储器装置及操作半导体存储器装置的方法。在控制器的控制下操作的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括控制逻辑以及数据输入输出电路。控制逻辑被配置为存储逻辑数据并响应于从控制器接收的逻辑数据的输出命令而基于逻辑数据生成多条循环数据。数据输入/输出电路被配置为在多条循环数据当中选择与设定的预热周期相对应的循环数据,并向控制器输出所选择的循环数据。
技术领域
本公开的各种实施方式总体上涉及一种电子装置,并且更具体地,涉及一种半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法。
背景技术
通常,半导体存储器装置可以具有其中串水平地布置在半导体基板上的二维结构,或者具有其中串垂直地层叠在半导体基板上的三维结构。三维半导体存储器装置可以是被设计为克服二维半导体存储器装置的集成度限制的装置,并且可以包括垂直层叠在半导体基板上的多个存储器单元。
控制器可以控制半导体存储器装置的操作。
发明内容
本公开的实施方式可以提供一种可以在控制器的控制下操作的半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括控制逻辑以及数据输入输出电路。控制逻辑可以存储逻辑数据并响应于逻辑数据的输出命令基于逻辑数据生成多条循环数据,输出命令是从控制器接收的。数据输入输出(输入/输出)电路可以在多条循环数据当中选择与设定的预热周期相对应的循环数据,并向控制器输出所选择的循环数据。
控制逻辑可以包括逻辑数据储存器、循环数据发生器、参数储存器和控制信号发生器。逻辑数据储存器可以存储逻辑数据。循环数据发生器可以基于逻辑数据生成与多个预热周期相对应的多条循环数据,并将循环数据输出给数据输入/输出电路。参数储存器可以存储设定的预热周期值。控制信号发生器可以基于设定的预热周期值来生成用于控制数据输入/输出电路的操作的控制信号。
本公开的实施方式可以提供一种操作被配置为与控制器通信的半导体存储器装置的方法,该方法可以包括:从控制器接收逻辑数据的输出命令;基于逻辑数据生成多条循环数据;在多条循环数据当中选择与设定的预热周期相对应的循环数据;以及输出所选择的循环数据。
附图说明
图1是例示根据本公开的实施方式的包括半导体存储器装置的储存装置的框图。
图2是例示在典型半导体存储器装置中根据预热周期输出的数据的时序图。
图3是例示在根据本公开的实施方式的半导体存储器装置中根据预热周期的逻辑数据的输出的时序图。
图4是例示图1的半导体存储器装置的配置的框图。
图5是例示根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的控制逻辑和数据输入/输出电路的配置的框图。
图6是例示存储在逻辑数据储存器中的逻辑数据的示例的图。
图7是例示由循环数据发生器生成的多条循环数据的时序图。
图8是更一般地例示了由循环数据发生器生成的多条循环数据的时序图。
图9是例示循环数据中包括的多条位数据的表。
图10A、图10B、图10C和图10D是例示图7中所示的每条循环数据中包括的位数据的时序图。
图11是例示数据输入/输出电路的实施方式的门级电路图。
图12是等效于图11的电路图的门级电路图。
图13是例示根据预热周期的控制信号CTRL_0至CTRL_4的表。
图14是例示根据本公开的实施方式的操作半导体存储器装置的方法的流程图。
图15是例示包括半导体存储器装置和控制器的储存装置的框图。
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