[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 202010603333.9 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111899779A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李映勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34;G11C7/04;G06F3/06;G11C16/16;G11C16/24;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/26;G11C16/08;G11C16/32 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体存储器件的擦除操作方法，所述方法包括：
施加第一擦除控制电压给包括多个存储单元的存储单元阵列的字线；
施加设定擦除电压给存储单元阵列的源极线；
施加第二擦除控制电压给字线；以及
继续施加正常擦除电压给源极线。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中，第一擦除控制电压具有比第二擦除控制电压低的电势电平。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中，设定擦除电压具有比正常擦除电压中的第一擦除电压高的电势电平或具有比第一擦除电压长的施加时间。
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