[发明专利]半导体可控硅的悬浮电压的去除方法在审
| 申请号： | 202010605130.3 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111934300A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 卞光辉;范俊 | 申请（专利权）人： | 苏州艾克威尔科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04;G06F30/30 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 郭磊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 可控硅 悬浮 电压 去除 方法 | ||
1.一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，包括：将悬浮电压吸收装置与电机负载一起并联在功率半导体的输出端；其中，所述悬浮电压吸收装置用于吸收功率半导体在停机状态下的漏电流或悬浮电压，进而限制功率半导体的输出电压小于预设安全电压；所述悬浮电压吸收装置整体呈现阻性。
2.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述功率半导体的阻值为1.5MΩ。
3.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述功率半导体的阻值为1MΩ到2MΩ。
4.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述预设安全电压是36V。
5.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述悬浮电压吸收装置由若干阻性负载串联而成。
6.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述悬浮电压吸收装置的阻值小于50kΩ。
7.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述悬浮电压吸收装置的阻值在40kΩ到45kΩ之间。
8.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述悬浮电压吸收装置由若干阻值不相同的电阻器串联而成。
9.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述悬浮电压吸收装置由若干阻值相同的电阻器串联而成。
10.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法，其特征在于，所述悬浮电压吸收装置由10个电阻器串联而成。
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