[发明专利]半导体可控硅的悬浮电压的去除方法在审

专利信息
申请号: 202010605130.3 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111934300A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 卞光辉;范俊 申请(专利权)人: 苏州艾克威尔科技有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02H9/04;G06F30/30
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 郭磊
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 可控硅 悬浮 电压 去除 方法
【说明书】:

发明公开了一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法。本发明一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,包括:将悬浮电压吸收装置与电机负载一起并联在功率半导体的输出端;其中,所述悬浮电压吸收装置用于吸收功率半导体在停机状态下的漏电流或悬浮电压,进而限制功率半导体的输出电压小于预设安全电压;所述悬浮电压吸收装置整体呈现阻性。本发明的有益效果:本发明模拟了整个控制系统的数学模型,通过悬浮电压的吸收装置吸收大部分漏电流,可以有效的减少输出端人体触电事故,使用简单,与半导体输出端并联即可。

技术领域

本发明涉及半导体可控硅领域,具体涉及一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法。

背景技术

近年来,工业智能控制设备已经广泛应用于工业,采矿业,冶金,船舶等行业。作为工业智能控制设备的核心部件-功率半导体驱动部件,连接的负载端一般连接电机类的负载,以驱动各种电机满足多样的生产工艺要求。由于其半导体的导电特性,其安全性及稳定性一直受人们的关注。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体断开状态与接触器不同,接触器是纯物理断开,半导体断开只是驱动信号为关断信号,物理上还与负载端连接,由于等效阻抗的存在,关断情况下也有一定的漏电流或悬浮电压,人体一旦触输出端,半导体,人体与大地形成回路,造成触电危险。

在检修工业智能控制设备时,整个系统处于停止状态,功率半导体处于断开状态,与功率半导体连接的电机负载端通常电压为0V,电机停止转动。而通常操作人员认为停机后,输出端与输入端间的半导体是不工作的,断开的,误认为输出端不带电的。把电机端与功率半导体断开检修或其他操作时,其输出端会呈现与输入端一致的悬浮电压,如人体不小心碰到,半导体,人体与大地形成回路,造成触电危险,造成操作生产事故。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,解决停机状态下半导体存在悬浮电压高与人体安全电压36V情况,悬浮电压的吸收装置吸收功率半导体的保护停机状态下的漏电流,从而限制其输出电压低于人体安全电压36V,保护人身安全。悬浮电压的吸收装置因整体呈现阻性,在正常功率半导体导通时,不影响其工作。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,包括:将悬浮电压吸收装置与电机负载一起并联在功率半导体的输出端;其中,所述悬浮电压吸收装置用于吸收功率半导体在停机状态下的漏电流或悬浮电压,进而限制功率半导体的输出电压小于预设安全电压;所述悬浮电压吸收装置整体呈现阻性。

本发明的有益效果:

本发明模拟了整个控制系统的数学模型,通过悬浮电压的吸收装置吸收大部分漏电流,可以有效的减少输出端人体触电事故,使用简单,与半导体输出端并联即可。

在其中一个实施例中,所述功率半导体的阻值为1.5MΩ。

在其中一个实施例中,所述功率半导体的阻值为1MΩ到2MΩ。

在其中一个实施例中,所述预设安全电压是36V。

在其中一个实施例中,所述悬浮电压吸收装置由若干阻性负载串联而成。

在其中一个实施例中,所述悬浮电压吸收装置的阻值小于50kΩ。

在其中一个实施例中,所述悬浮电压吸收装置的阻值在40kΩ到45kΩ之间。

在其中一个实施例中,所述悬浮电压吸收装置由若干阻值不相同的电阻器串联而成。

在其中一个实施例中,所述悬浮电压吸收装置由若干阻值相同的电阻器串联而成。

在其中一个实施例中,所述悬浮电压吸收装置由10个电阻器串联而成。

附图说明

图1是本发明半导体可控硅的悬浮电压的去除方法的系统拓扑图。

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