[发明专利]阵列基板及其制备方法和电子价签有效

专利信息
申请号: 202010605668.4 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111725241B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 李志凯 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 李爱华
地址: 215301 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 电子 价签
【权利要求书】:

1.一种阵列基板(100),所述阵列基板(100)包括一基底(10),所述基底(10)自下而上依次设置有第一电极层(11)、绝缘层(12)、沟道层(13)、第二电极层(14)、第一保护层(21)、转接电极层(15)、有机平坦层(16)和第三电极层(17),其特征在于,所述转接电极层(15)与所述有机平坦层(16)之间设置有第二保护层(22),所述第一保护层(21)上设置有第一转接孔(31),所述转接电极层(15)通过所述第一转接孔(31)与所述第一电极层(11)、所述第二电极层(14)中的至少之一电性连接,所述第二保护层(22)上设置有第一过孔(221),所述有机平坦层(16)上设置有与所述第一过孔(221)连通的第二过孔(161),所述第三电极层(17)通过所述第一过孔(221)和所述第二过孔(161)与所述转接电极层(15)电性连接;

在覆盖所述第三电极层(17)之前,先对所述第二保护层(22)进行蚀刻并形成所述第一过孔(221);

在LCD快速检测区内,先对所述第三电极层(17)进行蚀刻之后,再次对所述第二保护层(22)进行蚀刻并露出部分所述转接电极层(15),并形成贯穿所述第三电极层(17)和所述第二保护层(22)的开槽(101),以使所述转接电极层(15)部分露出。

2.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,在所述阵列基板(100)的显示区,所述转接电极层(15)上方形成有机平坦层(16);在所述阵列基板(100)的非显示区,所述转接电极层(15)上方未形成有机平坦层(16),未被所述有机平坦层(16)覆盖的所述转接电极层(15)通过至少一个所述转接孔(31)与所述第一电极层(11)、所述第二电极层(14)中的至少之一电性连接。

3.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,在所述阵列基板(100)的信号输入区或信号输出区,所述第二保护层(22)完全覆盖所述转接电极层(15)。

4.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,所述第一电极层(11)包括栅极(111)和栅极线(112),所述第二电极层(14)包括源极(141)和漏极(142),所述第三电极层(17)为像素电极。

5.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,所述绝缘层(12)上还设置有与所述第一转接孔(31)连通的第二转接孔(32),所述转接电极层(15)填充所述第一转接孔(31)和所述第二转接孔(32)后与所述第一电极层(11)电性连接。

6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括步骤:

提供一基底(10),在所述基底(10)上依次形成第一电极层(11)、绝缘层(12)、沟道层(13)、第二电极层(14)、第一保护层(21)、转接电极层(15)和第二保护层(22),在所述第一保护层(21)上形成第一转接孔(31),在所述第二保护层(22)上形成第一过孔(221);

在形成有所述第二保护层(22)的所述基底(10)上形成有机平坦层(16),在所述有机平坦层(16)上形成与所述第一过孔(221)连通的第二过孔(161);

在形成有所述有机平坦层(16)的所述基底(10)上形成第三电极层(17),所述第三电极层(17)可通过所述第一过孔(221)及所述第二过孔(161)与所述转接电极层(15)电性连接,所述转接电极层(15)可通过所述第一转接孔(31)与所述第一电极层(11)、所述第二电极层(14)中的至少之一电性连接;

在LCD快速检测区,先对所述第三电极层(17)进行蚀刻之后,再次对所述第二保护层(22)进行蚀刻并露出部分所述转接电极层(15),并形成贯穿所述第三电极层(17)和所述第二保护层(22)的开槽(101),以使所述转接电极层(15)部分露出。

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