[发明专利]阵列基板及其制备方法和电子价签有效
申请号: | 202010605668.4 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111725241B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 李志凯 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 李爱华 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 电子 价签 | ||
1.一种阵列基板(100),所述阵列基板(100)包括一基底(10),所述基底(10)自下而上依次设置有第一电极层(11)、绝缘层(12)、沟道层(13)、第二电极层(14)、第一保护层(21)、转接电极层(15)、有机平坦层(16)和第三电极层(17),其特征在于,所述转接电极层(15)与所述有机平坦层(16)之间设置有第二保护层(22),所述第一保护层(21)上设置有第一转接孔(31),所述转接电极层(15)通过所述第一转接孔(31)与所述第一电极层(11)、所述第二电极层(14)中的至少之一电性连接,所述第二保护层(22)上设置有第一过孔(221),所述有机平坦层(16)上设置有与所述第一过孔(221)连通的第二过孔(161),所述第三电极层(17)通过所述第一过孔(221)和所述第二过孔(161)与所述转接电极层(15)电性连接;
在覆盖所述第三电极层(17)之前,先对所述第二保护层(22)进行蚀刻并形成所述第一过孔(221);
在LCD快速检测区内,先对所述第三电极层(17)进行蚀刻之后,再次对所述第二保护层(22)进行蚀刻并露出部分所述转接电极层(15),并形成贯穿所述第三电极层(17)和所述第二保护层(22)的开槽(101),以使所述转接电极层(15)部分露出。
2.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,在所述阵列基板(100)的显示区,所述转接电极层(15)上方形成有机平坦层(16);在所述阵列基板(100)的非显示区,所述转接电极层(15)上方未形成有机平坦层(16),未被所述有机平坦层(16)覆盖的所述转接电极层(15)通过至少一个所述转接孔(31)与所述第一电极层(11)、所述第二电极层(14)中的至少之一电性连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,在所述阵列基板(100)的信号输入区或信号输出区,所述第二保护层(22)完全覆盖所述转接电极层(15)。
4.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,所述第一电极层(11)包括栅极(111)和栅极线(112),所述第二电极层(14)包括源极(141)和漏极(142),所述第三电极层(17)为像素电极。
5.如权利要求1所述的阵列基板(100),其特征在于,所述绝缘层(12)上还设置有与所述第一转接孔(31)连通的第二转接孔(32),所述转接电极层(15)填充所述第一转接孔(31)和所述第二转接孔(32)后与所述第一电极层(11)电性连接。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一基底(10),在所述基底(10)上依次形成第一电极层(11)、绝缘层(12)、沟道层(13)、第二电极层(14)、第一保护层(21)、转接电极层(15)和第二保护层(22),在所述第一保护层(21)上形成第一转接孔(31),在所述第二保护层(22)上形成第一过孔(221);
在形成有所述第二保护层(22)的所述基底(10)上形成有机平坦层(16),在所述有机平坦层(16)上形成与所述第一过孔(221)连通的第二过孔(161);
在形成有所述有机平坦层(16)的所述基底(10)上形成第三电极层(17),所述第三电极层(17)可通过所述第一过孔(221)及所述第二过孔(161)与所述转接电极层(15)电性连接,所述转接电极层(15)可通过所述第一转接孔(31)与所述第一电极层(11)、所述第二电极层(14)中的至少之一电性连接;
在LCD快速检测区,先对所述第三电极层(17)进行蚀刻之后,再次对所述第二保护层(22)进行蚀刻并露出部分所述转接电极层(15),并形成贯穿所述第三电极层(17)和所述第二保护层(22)的开槽(101),以使所述转接电极层(15)部分露出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的