[发明专利]阵列基板及其制备方法和电子价签有效
申请号: | 202010605668.4 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111725241B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 李志凯 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 李爱华 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 电子 价签 | ||
本发明提供的阵列基板及其制备方法和具有阵列基板的电子价签,通过在阵列基板的转接电极层与有机平坦层之间设置第二保护层,避免对第三电极层进行蚀刻的蚀刻液通过龟裂的转接电极层进入转接电极层下方的转接孔后,与第一电极层和第二电极层发生反应,从而避免转接电极层下方的转接孔处电极缺失,以保证电极正常搭接,进而确保电子价签的导电性能及品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,且特别是涉及一种阵列基板及其制备方法和电子价签。
背景技术
随着现代社会智能化,信息化的快速发展,大型超市及物流仓库等场景都需要新的货物信息显示方式,电子价签又称电子货架标签(Electronic Shelf Label,ESL),是一种带有信息收发功能的电子显示装置,主要应用于超市、便利店、药房等显示价格、促销等信息的电子类标签,其通过凹凸不平的膜面通过漫反射的方式反射自然光,无需背光,因此市场前景广阔。目前,电子价签一般采用Twisted Nematic(扭曲向列型)的显示模式,通过在阵列基板上方上形成有机平坦层后,对设置于有机平坦层上方的金属镀膜即形成漫反射的膜面。
请参考图1,图1为现有技术中电子价签的局部剖视图,如图1所示,电子价签的阵列基板包括一基底40,基底40上方自下而上依次设置有栅极线41、栅极绝缘层42、源/漏金属层43、PV层44、转接电极层45、有机平坦层46和像素电极层47,PV层44在非显示区域形成有转接孔441,以使转接电极层45与下方源/漏金属层43电性连接。其中,在有机平坦层46上形成像素电极层47时,是先在有机平坦层46上方形成一金属层,再通过对该金属层进行湿蚀刻以形成像素电极层47。
但现有技术中,有机平坦层46一般只形成在基底40上的显示区域,转接电极层45中位于非显示区域的部分就没有被有机平坦层46覆盖。当在有机平坦层46上方形成金属层时,金属层会直接跟转接电极层45中裸露的部分相接触,因不同材质膜层的延展性不同,转接孔441处受机台高温及张力等因素共同作用,从而导致转接电极层45位于转接孔441中的部分出现龟裂。因此,在对金属层进行蚀刻的过程中,蚀刻液会进入转接孔441与源/漏金属层43反应,使得源/漏金属层43部分缺失,从而引起搭接异常,影响导电性能及产品品质。
如何防止蚀刻液通过龟裂的转接电极层进入转接孔中与转接电极层下方的金属层反应是亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法和电子价签,以解决现有电子价签架构中,蚀刻液通过龟裂的转接电极层进入转接孔中与金属反应导致产品品质及导电性能受损的技术问题。
本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。
本发明提供一种阵列基板,阵列基板包括一基底,基底自下而上依次设置有第一电极层、绝缘层、沟道层、第二电极层、第一保护层、转接电极层、有机平坦层和第三电极层,其特征在于,转接电极层与有机平坦层之间设置有第二保护层,第一保护层上设置有第一转接孔,转接电极层通过第一转接孔与第一电极层、第二电极层中的至少之一电性连接,第二保护层上设置有第一过孔,有机平坦层上设置有与第一过孔连通的第二过孔,第三电极层通过第一过孔和第二过孔与转接电极层电性连接。
在本发明的一个实施例中,在阵列基板的显示区,转接电极层上方形成有有机平坦层;在阵列基板的非显示区,转接电极层上方未形成有有机平坦层,未被有机平坦层覆盖的转接电极层通过至少一个转接孔与第一电极层、第二电极层中的至少之一电性连接。
在本发明的一个实施例中,阵列基板于LCD快速检测区形成有一开槽,开槽贯穿第三电极层和第二保护层,以使转接电极层部分露出。
在本发明的一个实施例中,在阵列基板的信号输入区或信号输出区,第二保护层完全覆盖转接电极层。
在本发明的一个实施例中,第一电极层包括栅极和栅极线,第二电极层包括源极和漏极,第三电极层为像素电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的