[发明专利]真空吸附式圆形末端夹持器在审
申请号: | 202010606252.4 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111668152A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 何瑞;郭梅;刘丹;韩浚源 | 申请(专利权)人: | 昀智科技(北京)有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人: | 胡大成 |
地址: | 102300 北京市门头沟区莲石*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 吸附 圆形 末端 夹持 | ||
本发明公开一种真空吸附式圆形末端夹持器,包括:本体;法兰,法兰位于本体一端;和吸盘,吸盘位于本体另一端,并通过本体与法兰呈一体结构,吸盘上开设有放射状的沟槽,沟槽包括径向环形放射状的第一沟槽和径向直线放射状的第二沟槽,第二沟槽与第一沟槽相交。现有夹持器存在不易控制夹持力度,容易造成晶圆片的变形甚至破片的问题,而通过实施本发明的技术方案,将夹持器末端的吸盘与晶圆片之间的空气抽出,形成负压空间,利用大气压力将晶圆片稳定的吸附在吸盘上。吸盘内部的沟槽和纹路可以有效的扩大气室与晶圆片的接触范围,提高晶圆片的受力区域和稳定性,同时减小与晶圆片的直接接触的面积,可满足较高的洁净度要求。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种真空吸附式圆形末端夹持器。
背景技术
半导体制造过程中需要经过多道工艺对晶圆片进行加工,因此需要将晶圆片在不同的工艺单元之间进行传递。由于晶圆片本身具有厚度薄,质地脆,对表面洁净度有较高的要求等特点,这就需要采用特殊的方法来保证晶圆片在被拾取和传递的过程中受力大小适当、分布均匀,支撑稳定并且不会造成外部污染。目前,行业内多采用机械夹持的方法从正反面或者周边夹持晶圆片,这种方法的结构简单,但是不易控制夹持力度,容易造成晶圆片的变形甚至破片。
因此,本行业急需提供一种新的吸附式夹持器,解决不易控制夹持力度,容易造成晶圆片的变形甚至破片的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明公开了一种真空吸附式圆形末端夹持器,包括:
本体;
法兰,所述法兰位于本体一端;和
吸盘,所述吸盘位于本体另一端,并通过本体与法兰呈一体结构,吸盘上开设有放射状的沟槽。
进一步的,所述沟槽包括
环形放射状的第一沟槽;
和径向直线放射状的第二沟槽,所述第二沟槽与第一沟槽相交。
进一步的,所述第二沟槽将第一沟槽均分。
进一步的,所述沟槽上开设有抽气孔。
进一步的,所述法兰、本体和吸盘内部分别开设有气道。
进一步的,所述气道一端与抽气孔底部相通,另一端与法兰中心位置上开设的出气孔底部相通。
有益效果:通过实施本发明的技术方案,将夹持器末端的吸盘与晶圆片之间的空气抽出,形成负压空间,利用大气压力将晶圆片稳定的吸附在吸盘上。该设计与晶圆片的接触面积小,吸附力稳定,控制方便,可满足较高的洁净度要求。
附图说明
图1为本发明真空吸附式圆形末端夹持器的结构示意图;
图2为本发明吸盘的结构示意图;
图3为本发明真空吸附式圆形末端夹持器的A-A剖视图;
图4为本发明真空吸附式圆形末端夹持器的B处局部放大图;
图5为本发明真空吸附式圆形末端夹持器的C处局部放大图;
图6为本发明真空吸附式圆形末端夹持器的D-D剖视图。
图例:1.本体;2.法兰;21.出气孔;22.通孔;3.吸盘;31.沟槽;311.第一沟槽;312.第二沟槽;313.抽气孔。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明,但不局限于说明书上的内容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昀智科技(北京)有限责任公司,未经昀智科技(北京)有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010606252.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造