[发明专利]一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、对P型单晶硅片的正面制绒，在所述正面形成陷光绒面；

S2、在所述P型单晶硅片的正面进行磷扩散形成磷掺杂面，形成PN结作为选择性发射极；

S3、清洗所述P型单晶硅片的背面的氧化层，并利用强酸或强碱溶液抛光所述背面，所述背面为电池的非磷掺杂面；

S4、对所述P型单晶硅片的背面进行氧化，形成SiO₂氧化层；

S6、所述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在所述背面沉积AlO_x层；

S7、在所述正面和背面沉积SiN_x层；

S8、对所述P型单晶硅片进行退火工艺；

S9、在所述背面开槽；

S10、在所述正面和背面形成金属电极；其中，

步骤S8中的退火工艺采用管式退火炉，退火温度500-800摄氏度，退火时间1-30分钟；其中，

步骤S4中的氧化处理包括：采用质量浓度为65％-75％的浓硝酸氧化硅片的表面，控制温度为20-120℃，反应时间不超过10min，完成浓硝酸氧化；采用浓度为10～500ppm的臭氧氧化硅片的表面，控制温度为20-100℃，反应时间不超过10min，完成臭氧氧化；在氧气或者氮氧混合气氛围中对硅片表面进行加热，氧气体积浓度为10％-100％，控制温度为500-800℃，时间不超过30min，完成热氧化。

2.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1之前还包括去除硅片表面杂质及机械损伤。

3.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P型单晶硅片包括P型硅片、P型硅片经过硼重掺后的P⁺硅片以及N型硅片经过硼掺杂后的P型硅片。

4.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中磷扩散包括在去除绕镀后的P型单晶硅片表面通过POCl₃液态扩散源热在正面进行磷扩散以形成发射极PN结。

5.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在所述磷扩散后，去除所述正面的磷硅玻璃。

6.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S6中AlO_x层厚度为1-4nm。