[发明专利]熔断器的制造方法及器件

权利要求书

1.一种熔断器的制造方法，其特征在于，包括：

在介质层上形成金属层；

对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使所述第一目标区域和所述第二目标区域的介质层暴露，在所述第一目标区域形成第一沟槽，在所述第二目标区域形成第二沟槽；

在所述金属层上，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成钝化层；

对所述第一目标区域、所述第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，所述第一目标区域和所述第二目标区域被刻蚀至所述介质层的目标深度，在所述第一目标区域形成第三沟槽，在所述第二目标区域形成第四沟槽，在所述第三目标区域形成第五沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽之间的金属层暴露，所述第五沟槽底部的金属层暴露；

在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层；

对所述钝化层上方，所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽底部的保护层去除，保留所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽侧壁的保护层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括氧化物和/或氮氧化物。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层，包括：

在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层，包括：

通过CVD工艺在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化物包括二氧化硅。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氮氧化物包括氮氧化硅。

7.一种器件，其特征在于，包括：

介质层；

金属层，所述金属层形成于所述介质层上；

钝化层，所述钝化层形成于所述金属层上；

所述介质层、所述金属层和所述钝化层中形成有第三沟槽和第四沟槽，所述第三沟槽和第四沟槽之间的金属层形成熔断器，所述熔断器顶层暴露，所述钝化层中形成有第五沟槽，所述第五沟槽底部的金属层暴露；

其中，所述第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽的侧壁形成有保护层。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述保护层包括氧化物和/或氮氧化物。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述氧化物包括二氧化硅。

10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述氮氧化物包括氮氧化硅。

11.根据权利要求7至10任一所述的器件，其特征在于，所述金属层包括铜和/或铝。

12.根据权利要求7至10任一所述的器件，其特征在于，所述介质层为ILD层或IMD层。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述介质层包括氧化物和/或氮氧化物。

14.根据权利要求7至10任一所述的器件，其特征在于，所述钝化层包括氧化物。