[发明专利]熔断器的制造方法及器件

说明书

本申请公开了一种熔断器的制造方法及器件，方法包括：在介质层上形成金属层；对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使第一目标区域和第二目标区域的介质层暴露，在第一目标区域形成第一沟槽，在第二目标区域形成第二沟槽；在金属层上，以及第一沟槽和第二沟槽中形成钝化层；对第一目标区域、第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，在第一目标区域形成第三沟槽，在第二目标区域形成第四沟槽，在第三目标区域形成第五沟槽；在钝化层、第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽的表面形成保护层；对钝化层上方，第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽底部的保护层去除，保留第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽侧壁的保护层。本申请通过在熔断器的侧壁形成保护层提高了良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种熔断器(fuse)的制造方法及器件。

背景技术

半导体集成电路的芯片中，通常设置有熔断器对芯片进行保护。当芯片中的电流过大是，熔断器产生的热量可以使自身熔断，断开电流从而保护芯片。

参考图1，其示出了相关技术中提供的熔断器的剖面示意图。如图1所示，介质层110上形成有金属层120，金属层120上形成有钝化层130，钝化层130、金属层120和介质层110中形成有第一熔断器沟槽101和第二熔断器沟槽102，第一熔断器沟槽101和第二熔断器沟槽102之间的金属层120形成熔断器(如图1中虚线所示)，钝化层130中形成有引出沟槽103，引出沟槽103底部的金属层120暴露，其可作为引出的焊点(Pad)。

如图1所示，由于相关技术中提供的熔断器的尺寸较小且较薄，在对形成有该熔断器的晶圆进行划片的过程中，有一定几率会被划片过程中的水压所损伤，从而降低了制造良率。

发明内容

本申请提供了一种熔断器的制造方法及器件，可以解决相关技术中提供的熔断器有一定几率会被划片过程中的水压所损伤所导致的制造良率较低问题。

一方面，本申请实施例提供了一种熔断器的制造方法，包括：

在介质层上形成金属层；

对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使所述第一目标区域和所述第二目标区域的介质层暴露，在所述第一目标区域形成第一沟槽，在所述第二目标区域形成第二沟槽；

在所述金属层上，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成钝化层；

对所述第一目标区域、所述第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，所述第一目标区域和所述第二目标区域被刻蚀至所述介质层的目标深度，在所述第一目标区域形成第三沟槽，在所述第二目标区域形成第四沟槽，在所述第三目标区域形成第五沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽之间的金属层暴露，所述第五沟槽底部的金属层暴露；

在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层；

对所述钝化层上方，所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽底部的保护层去除，保留所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽侧壁的保护层。

可选的，所述保护层包括氧化物和/或氮氧化物。

可选的，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层，包括：

在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层。

可选的，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层，包括：

通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层。