[发明专利]用于处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

腔室，在所述腔室中具有工艺空间；

基板支承单元，其配置为在所述工艺空间中支承基板；

气体供应单元，其配置为将气体供应到所述工艺空间中；

等离子体生成单元，其配置为从所述气体生成等离子体，

其中，所述基板支承单元包括：

基板支承部件，其配置为支承所述基板；

聚焦环，其配置为围绕所述基板支承部件；

绝缘体，其位于所述聚焦环的下方，所述绝缘体中具有形成在其中的凹槽；

电极，其设置在形成于所述绝缘体中的所述凹槽中；以及

阻抗控制器，其与所述电极连接，且所述阻抗控制器配置为调节所述电极的阻抗，并且

其中，所述阻抗控制器包括：

共振控制电路，其配置为调节施加到所述电极的电流的最大值；以及

阻抗控制电路，其配置为控制所述基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述共振控制电路包括感应器和第一可变电容器，且

其中，所述阻抗控制电路包括第二可变电容器。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述共振控制电路和所述阻抗控制电路彼此并联连接。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述阻抗控制器还包括控制构件，所述控制构件配置为调节所述第一可变电容器的电容和所述第二可变电容器的电容，并且

其中，所述控制构件调节所述第一可变电容器的电容，使得所述电极具有最大阻抗值。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述控制构件通过调节所述第二可变电容器的电容、来控制所述聚焦环的上端的电压。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述阻抗控制器还包括电压测量构件，所述电压测量构件配置为测量所述聚焦环的所述上端的所述电压。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，通过使用涉及所述聚焦环的所述上端的预先存储的电压的、与所述基板的所述边缘区域中所述等离子体离子的所述入射角有关的信息，所述控制构件控制所述第二可变电容器的电容，使得所述基板的所述边缘区域中所述等离子体离子的所述入射角在预设范围中调节。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，在所述第二可变电容器的最大电容的10％-100％的范围内，调节所述第二可变电容器的电容。

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，调节所述基板的所述边缘区域中所述等离子体离子的所述入射角，使得倾斜临界尺寸SCD大于0。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的基板处理装置，其中，所述电极由金属材料形成，且所述电极以环形形状设置。

11.一种根据权利要求2所述的基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理方法包括：

调节所述第一可变电容器的电容，使得所述电极具有最大阻抗值；以及

通过调节所述第二可变电容器的电容，控制所述聚焦环的上端的电压。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，通过测量所述聚焦环的所述上端的所述电压，并使用涉及所述聚焦环的所述上端的预先存储的电压的、与所述基板的所述边缘区域中所述等离子体离子的所述入射角有关的信息，控制所述第二可变电容器的电容，使得所述基板的所述边缘区域中所述等离子体离子的所述入射角在预设范围中调节。

13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，在所述第二可变电容器的最大电容的10％-100％的范围内，调节所述第二可变电容器的电容。

14.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，调节所述基板的所述边缘区域中所述等离子体离子的所述入射角，使得倾斜临界尺寸SCD大于0。