[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。

相关申请的交叉引用

本申请请求于2019年6月27日递交韩国知识产权局的第10-2019-0076943号韩国专利申请在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文中所描述的本发明构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种用于使用等离子体处理基板的基板处理装置和方法。

背景技术

半导体制造工艺可包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体制造工艺中，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。

在使用等离子体的基板处理工艺中、诸如使用等离子体的蚀刻工艺中，安装在静电卡盘边缘上的聚焦环在该工艺期间用作基板位置的导向环，并影响等离子体的生成和静电卡盘边缘区域中的鞘(sheath)的高度。特别地，根据聚焦环的形状，该聚焦环可对基板的边缘区域的蚀刻均匀性的变化具有很大影响。

聚焦环通常由诸如Si、SiC或石英的材料形成。随着等离子体工艺时间的增加，工艺期间发生的离子轰击会磨损或蚀刻聚焦环，聚焦环的厚度会减小。随着聚焦环的高度由于聚焦环的蚀刻而减小，鞘的整体高度根据聚焦环的蚀刻形状也会减小。因此，基板的边缘区域中离子的入射角可能会逐渐朝向基板的中心倾斜。由于这种现象，可能会引起工艺变化，并且基板图案轮廓可能会弯曲。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种基板处理装置和方法，该基板处理装置和方法用于控制基板的边缘区域中等离子体离子的入射角。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据一示例性实施方式，一种基板处理装置包括：腔室，在所述腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在所述工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至所述工艺空间；和等离子体生成单元，其从所述气体生成等离子体，其中，所述基板支承单元包括：基板支承部件，其支承所述基板；聚焦环，其围绕所述基板支承部件，绝缘体，其位于所述聚焦环的下方，并且所述绝缘体中具有形成在其中的凹槽，电极，其设置在形成于所述绝缘体中的所述凹槽中；以及阻抗控制器，其与所述电极连接，并且所述阻抗控制器调节所述电极的阻抗，并且所述阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到所述电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制所述基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。

所述共振控制电路可以包括感应器和第一可变电容器，且所述阻抗控制电路可以包括第二可变电容器。

所述共振控制电路和所述阻抗控制电路可以彼此并联连接。

所述阻抗控制器还可以包括控制构件，所述控制构件调节所述第一可变电容器的电容和所述第二可变电容器的电容，并且所述控制构件可以调节所述第一可变电容器的电容，使得所述电极具有最大阻抗值。

所述控制构件可以通过调节所述第二可变电容器的电容、来控制所述聚焦环的上端的电压。

所述阻抗控制器还可以包括电压测量构件，所述电压测量构件测量所述聚焦环的所述上端的所述电压。