[发明专利]一种处理方法以及电子设备有效
申请号: | 202010609905.4 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111683485B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 吴新中 | 申请(专利权)人: | 联想(北京)有限公司 |
主分类号: | H05K5/02 | 分类号: | H05K5/02;H05K5/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种处理方法,包括:
在第一工艺空间内,利用阳极氧化工艺,在电子设备的金属壳体的第一表面形成氧化层;
继续在所述第一工艺空间内,在所述氧化层背离所述电子设备的金属壳体的第一表面的一侧表面形成抗指纹膜层,所述抗指纹膜层具有多个凸起,所述抗指纹膜层的形成工艺为浸渍工艺。
2.根据权利要求1所述的处理方法,在所述氧化层形成之后,所述抗指纹膜层形成之前,该方法还包括:
在所述第一工艺空间内,在所述氧化层背离所述电子设备第一表面的一侧表面形成密封层,所述抗指纹膜层形成在所述密封层背离所述电子设备第一表面的一侧表面。
3.根据权利要求2所述的处理方法,在所述密封层背离所述电子设备的第一表面的一侧表面形成抗指纹膜层包括:
向溶剂中加入带负电位的第一材料,得到包括第一材料的溶液;
将形成所述密封层后的电子设备的第一表面放入该包括第一材料的溶液中;
给所述电子设备的第一表面施加正电位,并给所述包括第一材料的溶液施加负电位,在所述密封层背离所述电子设备的第一表面一侧的表面生长抗指纹膜层。
4.根据权利要求3所述的处理方法,在向溶剂中加入带负电位的第一材料,得到包括第一材料的溶液之前,该方法还包括:
对所述第一材料进行电化处理,使得所述第一材料具有负电位。
5.根据权利要求3或4所述的处理方法,所述第一材料为氟聚醚类材料。
6.根据权利要求2-4任一项所述的处理方法,在所述氧化层形成之后,所述密封层形成之前,该方法还包括:
在所述第一工艺空间内,在所述氧化层背离所述电子设备的第一表面的一侧形成染色层,所述密封层形成在所述染色层背离所述氧化层一侧表面。
7.一种电子设备,所述电子设备的第一表面形成有氧化层,所述氧化层背离所述电子设备的第一表面的一侧形成有抗指纹膜层,所述抗指纹膜层具有多个凸起;
其中,所述氧化层的形成工艺为阳极氧化工艺,所述氧化层和所述抗指纹膜层在同一工艺空间内形成,所述抗指纹膜层的形成工艺为浸渍工艺。
8.根据权利要求7所述的电子设备,所述凸起的材料为氟聚醚类材料。
9.根据权利要求7所述的电子设备,还包括:位于所述氧化层与所述抗指纹膜层之间的染色层以及位于所述染色层与所述抗指纹膜层之间的密封层。
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