[发明专利]用于获取电子反向散射衍射图样的方法和系统

说明书

提供了用于获取电子反向散射衍射图样的各种方法和系统。在一个实例中，通过将带电粒子束引向ROI内的多个撞击点并检测从所述多个撞击点散射的粒子来执行第一次扫描。基于检测到的粒子来计算所述多个撞击点中的每个撞击点的信号质量。基于每个撞击点的所述信号质量来计算所述ROI的信号质量。响应于所述ROI的所述信号质量低于阈值信号质量，执行对所述ROI的第二次扫描。可以基于检测到的来自所述第一次扫描和所述第二次扫描两者的粒子来形成样品的结构图像。

技术领域

本说明书总体上涉及用于获取反向散射电子的方法和系统，并且更具体地说，涉及数据驱动的电子反向散射衍射图样获取。

背景技术

当用如电子束的带电粒子束照射样品时，样品可能产生各种类型的发射。其中，反向散射电子由高能电子组成，这些高能电子通过带电粒子束与样品原子之间的弹性散射相互作用而反射或反向散射出样品的相互作用体积。反向散射电子可以由检测器以二维电子反向散射衍射（EBSD）图样的形式收集。相互作用体积中的结构信息（如晶体取向）可以通过对EBSD图样进行分析和解释来确定。

发明内容

在一个实施例中，用于对样品进行成像的方法包括：通过将带电粒子束引向ROI内的多个撞击点并检测从多个撞击点中的每个撞击点散射的粒子来执行第一次扫描；基于从撞击点散射的检测到的粒子，计算多个撞击点中的每个撞击点的信号质量；基于每个撞击点的信号质量，计算ROI的信号质量，其中ROI的信号质量低于阈值信号质量；通过在计算ROI的信号质量之后，将带电粒子束引向ROI内的多个撞击点中的一个或多个并检测从ROI内的多个撞击点中的一个或多个散射的粒子来执行第二次扫描；和基于在第一次扫描和第二次扫描期间检测到的粒子，形成ROI的结构图像。以这种方式，可以减少带电粒子束在每个撞击点的停留时间。此外，可以基于获取的数据的质量来终止EBSD图样获取，从而可以减少总数据获取时间和带电粒子束对样品的损伤。

应当理解，提供以上发明内容以便以简化的形式引入在详细描述中进一步描述的一系列概念。其并不意味着标识所要求保护的主题的关键或必要特征，其范围由详细描述之后的权利要求进行唯一地限定。此外，所要求保护的主题并不限于解决上文或本公开的任何部分中指出的任何缺点的实施方式。

附图说明

图1示出根据示例性实施例的用于电子反向散射衍射（EBSD）图样获取的成像系统。

图2图示了基于EBSD图样来形成结构图像的实例程序。

图3是用于基于数据驱动的EBSD图样获取来形成结构图像的方法的流程图。

图4A、4B、4C、4D、4E和4F是随时间形成的撞击点的EBSD图样。

图5A和5B示出了用于对感兴趣区域进行成像的不同扫描模式。

图6示出了用于获取EBSD图样的示例性时间线。

贯穿附图的若干视图，相似的附图标记指代对应的部分。

具体实施方式

以下描述涉及用于获取电子反向散射衍射（EBSD）图样并基于EBSD图样生成样品的结构图像的系统和方法。EBSD图样可以通过图1所示的成像系统来获取。在一个实例中，如图2所示，基于响应于带电粒子束撞击样品的撞击点而检测到的散射电子来生成EBSD图样。基于EBSD图样，可以提取撞击点处的结构信息，如晶体取向信息，并在结构图像中形成像素。通过在感兴趣区域（ROI）上扫描带电粒子束，可以生成ROI的结构图像。