[发明专利]处理装置在审
申请号: | 202010610089.9 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN112185874A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 新田秀次;瓜田直功;江角和也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H05F3/04;H05F3/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种处理装置,其具有:
保持构件,其具有隔着划片带对工件组进行保持的保持面,该工件组是将该划片带粘贴在环状框架和配置在该环状框架的开口处的被加工物上进行一体化而得的;
处理构件,其一边向该保持面所保持的该工件组的被加工物提供水,一边对该被加工物进行处理;
升降构件,其使框架保持部在与该保持面垂直的方向上移动,该框架保持部具有对该保持面所保持的该工件组的该环状框架进行保持的至少3个保持部;以及
离子发生器,其向该划片带的下表面吹送离子化空气,将该划片带所带的静电去除,
其中,
该升降构件构成为使对该工件组的该环状框架进行保持的该框架保持部上升,以使该工件组的该划片带的下表面从外周部分朝向中央逐渐与该保持面分离,
该离子发生器构成为持续向该划片带的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气,直到该划片带的下表面从该保持面完全离开并且该划片带的下表面进一步从该保持面离开规定的距离,
该处理装置一边将该划片带所带的静电去除,一边将被加工物从该保持面搬出。
2.一种处理装置,其具有:
保持构件,其具有隔着保护部件对被加工物进行保持的保持面,该被加工物在一个面上具有该保护部件;
处理构件,其对该保持面所保持的被加工物进行处理;
升降构件,其使搬送垫在与该保持面垂直的方向上移动,该搬送垫具有对一个面被保持于该保持面的被加工物的另一个面进行吸附保持的吸附面;
离子发生器,其向该保护部件的下表面吹送离子化空气,将该保护部件所带的静电去除,
其中,
该处理装置还具有倾斜度变更构件,该倾斜度变更构件变更该搬送垫的该吸附面与该保持面的相对倾斜度,
该倾斜度变更构件构成为使对该保持面所保持的被加工物进行吸附保持的该搬送垫的该吸附面与该保持面的相对倾斜度从该吸附面与该保持面互相平行的状态起逐渐增大,从而使该被加工物的该保护部件的下表面中的从该保持面离开的部分的面积逐渐增大,
该离子发生器构成为持续向该保护部件的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气,直到该保护部件的下表面从该保持面完全离开并且该保护部件的下表面进一步从该保持面离开规定的距离,
该处理装置一边将该保护部件所带的静电去除,一边将被加工物从该保持面搬出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造