[发明专利]处理装置

说明书

提供处理装置，在使晶片从保持构件离开时良好地进行静电的除电。一边使划片带(T1)的下表面中的从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的部分的面积逐渐增大，一边向该部分吹送离子化空气(A1)，由此，将划片带(T1)所带的静电去除。因此，能够抑制从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的划片带(T1)带电，并且能够一边将划片带(T1)所带的静电去除，一边将工件组(W1)从保持面(23)搬出。由此，从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的划片带(T1)不容易带静电。因此，能够抑制形成在工件组(W1)的晶片(W)上的器件的品质的降低。

技术领域

本发明涉及处理装置。

背景技术

在专利文献1和专利文献2所公开的对晶片进行切削的切削装置中，晶片在隔着粘贴于其一个面的划片带保持于保持构件的状态下被切削加工。

在这样的切削装置中，在切削加工之后，由于粘贴于晶片的划片带带有静电，所以形成于晶片的器件的品质有时会降低。因此，为了去除划片带上所带的静电，向划片带吹送离子化的空气。

例如，在专利文献1所公开的切削装置中，在通过搬送构件使保持构件所保持的粘贴有划片带的晶片从保持构件离开之后，以追随搬送构件所保持的上升的晶片的方式变更空气的喷射方向，以使得离子化的空气与划片带发生碰撞。

专利文献1：日本特开2012-049359号公报

专利文献2：日本特开2015-112552号公报

但是，在以往的切削装置中，在晶片从保持面完全离开之后，向划片带吹送离子化空气。因此，有时在划片带上残留有静电，器件的品质有可能降低。

发明内容

因此，本发明的目的在于，在使晶片从保持构件离开时，通过良好地进行静电的除电，抑制器件的品质降低。

本发明的第1处理装置具有：保持构件，其具有隔着划片带对工件组进行保持的保持面，该工件组是将该划片带粘贴在环状框架和配置在该环状框架的开口处的被加工物上并进行一体化而得的；处理构件，其一边向该保持面所保持的该工件组的被加工物提供水，一边对该被加工物进行处理；升降构件，其使框架保持部在与该保持面垂直的方向上移动，该框架保持部具有对该保持面所保持的该工件组的该环状框架进行保持的至少3个保持部；以及离子发生器，其向该划片带的下表面吹送离子化空气，将该划片带所带的静电去除，其中，该升降构件构成为使对该工件组的该环状框架进行保持的该框架保持部上升，以使该工件组的该划片带的下表面从外周部分朝向中央逐渐与该保持面分离，该离子发生器构成为持续向该划片带的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气，直到该划片带的下表面从该保持面完全离开并且该划片带的下表面进一步从该保持面离开规定的距离，该处理装置一边将该划片带所带的静电去除，一边将被加工物从该保持面搬出出。

本发明的第2处理装置具有：保持构件，其具有隔着保护部件对被加工物进行保持的保持面，该被加工物在一个面上具有该保护部件；处理构件，其对该保持面所保持的被加工物进行处理；升降构件，其使搬送垫在与该保持面垂直的方向上移动，该搬送垫具有对一个面被保持于该保持面的被加工物的另一个面进行吸附保持的吸附面；离子发生器，其向该保护部件的下表面吹送离子化空气，将该保护部件所带的静电去除，其中，该处理装置还具有倾斜度变更构件，该倾斜度变更构件变更该搬送垫的该吸附面与该保持面的相对倾斜度，该倾斜度变更构件构成为使对该保持面所保持的被加工物进行吸附保持的该搬送垫的该吸附面与该保持面的相对倾斜度从该吸附面与该保持面互相平行的状态起逐渐增大，从而使该被加工物的该保护部件的下表面中的从该保持面离开的部分的面积逐渐增大，该离子发生器构成为持续向该保护部件的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气，直到该保护部件的下表面从该保持面完全离开并且该保护部件的下表面进一步从该保持面离开规定的距离，该处理装置一边将该保护部件所带的静电去除，一边将被加工物从该保持面搬出。