[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层和功能器件层：其中，所述驱动电路层设置有第一驱动电路，所述第一驱动电路至少包括驱动晶体管；

所述驱动电路层包括依次层叠于所述衬底基板的第一栅极层、第一栅极绝缘层、半导体层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层和源漏金属层；其中，所述第一栅极层包括所述驱动晶体管的第一栅极；所述半导体层包括所述驱动晶体管的有源层，所述驱动晶体管的有源层具有所述驱动晶体管的沟道区；所述驱动晶体管的第一栅极在所述半导体层的正投影，与同一所述驱动晶体管的沟道区至少部分重合；所述第二栅极层包括驱动晶体管的第二栅极；所述驱动晶体管的第二栅极在所述半导体层的正投影，与同一所述驱动晶体管的沟道区至少部分重合；所述源漏金属层包括所述驱动晶体管的源极和漏极；

其中，同一所述驱动晶体管的第一栅极和第二栅极通过所述源漏金属层电连接；所述功能器件层包括功能器件，所述功能器件与所述驱动晶体管的漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层还包括所述驱动晶体管的栅极桥接引线；同一所述驱动晶体管中，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述栅极桥接引线连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层包括第一过孔和第二过孔；

所述第一过孔贯穿所述层间电介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层，且暴露所述驱动晶体管的第一栅极的至少部分区域；所述第二过孔贯穿所述层间电介质层和所述第二栅极绝缘层，且暴露所述驱动晶体管的第二栅极的至少部分区域；

所述栅极桥接引线通过所述第一过孔与所述第一栅极连接，且通过所述第二过孔与所述第二栅极连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一驱动电路还包括存储电容；所述第一栅极层还包括所述存储电容的第一电极板，所述第二栅极层还包括所述存储电容的第二电极板。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一驱动电路还包括开关晶体管；所述半导体层还包括所述开关晶体管的有源层，所述开关晶体管的有源层具有所述开关晶体管的沟道区；所述驱动晶体管的沟道区的宽度，大于所述开关晶体管的沟道区的宽度。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的材料包括低温多晶硅。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的厚度为30～60纳米。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括：

平坦化层，设于所述源漏金属层远离所述衬底基板的一侧；

电极层，设于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧，且厚度大于1微米；所述电极层包括第二电极和所述第一驱动电路的第一电极；同一所述第一驱动电路中，所述第一电极与所述驱动晶体管的漏极连接；

所述功能器件连接所述第二电极和所述第一电极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层包括：

第一种子金属层，设于所述源漏金属层远离所述衬底基板的一侧，且与所述驱动晶体管的漏极连接；所述第一种子金属层的厚度不大于1微米；

第一电镀金属层，设于所述第一种子金属层远离所述衬底基板的一侧；所述第一电镀金属层的厚度为1～20微米；

所述功能器件与所述第一电镀金属层连接。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层还包括电源引线，所述电源引线与所述驱动晶体管的源极连接。