[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域。该阵列基板包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层和功能器件层：其中，驱动电路层设置有第一驱动电路，第一驱动电路至少包括驱动晶体管；驱动电路层包括依次层叠于衬底基板的一侧的第一栅极层、第一栅极绝缘层、半导体层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层和源漏金属层。第一栅极层包括驱动晶体管的第一栅极，半导体层包括驱动晶体管的沟道区，第二栅极层包括驱动晶体管的第二栅极，驱动晶体管的第一栅极和驱动晶体管的第二栅极电连接。该阵列基板能够提高驱动晶体管的饱和电流。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

驱动Micro LED(微发光二极管)等电流驱动的发光器件时需要较大的驱动电流。然而，现有的显示面板的驱动电路难以提供较大的驱动电流，尤其是驱动晶体管容易受到浮体效应的影响而导致饱和电流降低。这制约了Micro LED显示面板的显示质量的提升。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，提高驱动晶体管的饱和电流。

为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板，包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层和功能器件层：其中，所述驱动电路层设置有第一驱动电路，所述第一驱动电路至少包括驱动晶体管；

所述驱动电路层包括依次层叠于所述衬底基板的第一栅极层、第一栅极绝缘层、半导体层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层和源漏金属层；其中，所述第一栅极层包括所述驱动晶体管的第一栅极；所述半导体层包括所述驱动晶体管的有源层，所述驱动晶体管的有源层具有所述驱动晶体管的沟道区；所述驱动晶体管的第一栅极在所述半导体层的正投影，与同一所述驱动晶体管的沟道区至少部分重合；所述第二栅极层包括驱动晶体管的第二栅极；所述驱动晶体管的第二栅极在所述半导体层的正投影，与同一所述驱动晶体管的沟道区至少部分重合；所述源漏金属层包括所述驱动晶体管的源极和漏极；

其中，同一所述驱动晶体管的第一栅极和第二栅极通过所述源漏金属层电连接；所述功能器件层包括功能器件，所述功能器件与所述驱动晶体管的漏极电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述源漏金属层还包括所述驱动晶体管的栅极桥接引线；同一所述驱动晶体管中，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述栅极桥接引线连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动电路层包括第一过孔和第二过孔；

所述第一过孔贯穿所述层间电介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层，且暴露所述驱动晶体管的第一栅极的至少部分区域；所述第二过孔贯穿所述层间电介质层和所述第二栅极绝缘层，且暴露所述驱动晶体管的第二栅极的至少部分区域；

所述栅极桥接引线通过所述第一过孔与所述第一栅极连接，且通过所述第二过孔与所述第二栅极连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一驱动电路还包括存储电容；所述第一栅极层还包括所述存储电容的第一电极板，所述第二栅极层还包括所述存储电容的第二电极板。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一驱动电路还包括开关晶体管；所述半导体层还包括所述开关晶体管的有源层，所述开关晶体管的有源层具有所述开关晶体管的沟道区；所述驱动晶体管的沟道区的宽度，大于所述开关晶体管的沟道区的宽度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体层的材料包括低温多晶硅。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体层的厚度为30～60纳米。