[发明专利]电迁移测试结构

说明书

本发明的电迁移测试结构，其在引线的交叠区朝向待测试线的表面上设有若干第二连通垫，从而利用该第二连通垫降低引线与第一连通垫连接处附近区域的局部集中的应力迁移。在对电迁移测试结构进行测试时，即可有效避免引线与第一连通垫连接处附近区域因为应力迁移影响而先于待测试线出现空洞或断裂的问题，进而提高电迁移可靠性评估结果的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电迁移测试结构。

背景技术

电迁移现象是指半导体器件中的集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。由此，金属线的某些部位会因该电迁移现象而出现空洞(Void)，进而发生断路，而某些部位会因该电迁移现象而出现小丘(Hillock)，进而造成电路短路。

在集成电路工艺开发阶段，可靠性评估是工艺开发是否成功的重要一环，而针对上述电迁移现象的电迁移测试是后段工艺评估中的一项必不可少的测试。参考图1，其示出了现有技术中的电迁移测试结构。该电迁移测试结构包括待测试线1、引线2及第一连通垫3，第一连通垫3用于电性连接待测试线1和引线2。

然而，现有技术中，第一连通垫3与引线2连接处附近的应力过于集中，从而在第一连通垫3与引线2连接处附近容易发生应力迁移。进而导致引线2与第一连通垫3的连接处周围容易先于待测试线1出现孔洞A或断裂，最终影响电迁移可靠性评估结果的分析与判断。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电迁移测试结构，以解决现有技术中引线和第一连通垫相交区域应力迁移较大，导致的引线和第一连通垫相交区域附近先于待测试线出现孔洞或断裂，进而导致垫迁移测试失效的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种电迁移测试结构，包括：

待测试线；

引线，设置在与所述待测试线不同的结构层中并与所述待测试线电性连接，其中，所述引线的一端用于连接测试垫片，所述引线的另一端朝向所述待测试线的方向延伸，以使所述引线具有与所述待测试线空间交叠的交叠区；

第一连通垫，设置在所述引线的所述交叠区中，以连通所述引线和所述待测试线；以及，

若干第二连通垫，设置在所述引线的所述交叠区朝向所述待测试线的表面上。

优选的，所述第二连通垫的一端与所述引线电连接，所述第二连通垫的另一端与所述待测试线电连接，以连通所述待测试线和所述引线。

优选的，所述第二连通垫至少为两个，至少两个所述第二连通垫以所述第一连通垫为中心环绕所述第一连通垫设置。

优选的，所述第二连通垫为多个，在远离所述第一连通垫的方向上，多个所述第二连通垫的排布密度逐渐减小。

优选的，所述第二连通垫为多个，多个所述第二连通垫均匀设置在所述引线的所述交叠区上。

优选的，所述第一连通垫和/或所述第二连通垫的横截面积为矩形或圆形。

优选的，所述引线的宽度大于所述待测试线的宽度。

优选的，所述引线包括至少两层依次设置的子引线，相邻所述子引线之间夹持至少一个第三连通垫，以使所述第三连通垫连通相邻的所述子引线；所述第二连通垫设置在顶层的所述子引线上。

优选的，所述待测试线包括主待测试线及围设所述主待测试线的辅助待测试线，所述第一连通垫位于所述引线和所述主待测试线之间以连通所述引线和所述主待测试线，所述第二连通垫位于所述引线和所述辅助待测试线之间。

优选的，所述待测试线包括金属层和绝缘层，所述绝缘层包裹所述金属层，所述绝缘层上设有通孔，所述连通垫穿过所述通孔与所述金属层连接。