[发明专利]一种受耐压限制的负高压到电源的切换电路有效
| 申请号： | 202010613530.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111508544B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋丁;温靖康;王振彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C5/14 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 限制 高压 电源 切换 电路 | ||
1.一种受耐压限制的负高压到电源的切换电路，其特征在于，包括第一PMOS管（p1）、第一NMOS管（n1）、第二PMOS管（p2）、第二NMOS管（n2），所述第一PMOS管（p1）的漏极连接电源电压（VCC），第一PMOS管（p1）的栅极连接擦除指令（Ers）,第一PMOS管（p1）的源极与第一NMOS管（n1）的漏极连接，第一NMOS管（n1）的栅极连接擦除指令（Ers）,第一NMOS管（n1）的源极接地，第一PMOS管（p1）的源极还与第二PMOS管（p2）的漏极连接，第二PMOS管（p2）的栅极连接公共端（gnd），第二PMOS管（p2）的源极连接单元的栅极（CG），第二PMOS管（p2）的源极还与第二NMOS管（n2）的漏极连接，第二NMOS管（n2）的栅极连接公共端（gnd），第二NMOS管（n2）的源极连接负高压（HVN）。
2.根据权利要求1所述的受耐压限制的负高压到电源的切换电路，其特征在于，所述负高压（HVN）为-8V。
3.根据权利要求1所述的受耐压限制的负高压到电源的切换电路，其特征在于，所述第一PMOS管（p1）的栅极到源极的压差、漏极到源极的压差、栅极到漏极的压差小于负高压（HVN）的绝对值；第一NMOS管（n1）、第二PMOS管（p2）、第二NMOS管（n2）的栅极到源极的压差、漏极到源极的压差、栅极到漏极的压差小于负高压（HVN）的绝对值。
4.根据权利要求1所述的受耐压限制的负高压到电源的切换电路，其特征在于，所述第一PMOS管（p1）、第一NMOS管（n1）、第二PMOS管（p2）、第二NMOS管（n2）采用型号为UMC 180nm工艺的mos管。
5.根据权利要求1所述的受耐压限制的负高压到电源的切换电路，其特征在于，所述第一PMOS管（p1）、第二PMOS管（p2）采用P50，其耐压值是5V；所述第一NMOS管（n1）、第二NMOS管（n2）采用N50，其耐压值是5V。
6.根据权利要求1所述的受耐压限制的负高压到电源的切换电路，其特征在于，所述第一PMOS管（p1）、第二PMOS管（p2）采用P80，其耐压值是8V；所述第一NMOS管（n1）、第二NMOS管（n2）采用N80，其耐压值是8V。
7.根据权利要求1所述的受耐压限制的负高压到电源的切换电路，其特征在于，所述第一NMOS管（n1）、第二NMOS管（n2）采用负高压隔离管N80_iso，其耐压值是8V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯天下技术有限公司，未经深圳市芯天下技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010613530.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
