[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法在审
申请号: | 202010616670.1 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN112185444A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 裵晖英 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/4094 | 分类号: | G11C11/4094;G11C11/409 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体存储器设备,包括:
多个存储器单元,连接到一对位线;
列选择电路;以及
读出放大器,
其中,所述半导体存储器设备被配置为使得当所述半导体存储器设备处于数据写入操作时:
所述列选择电路在相继布置的第一时间间隔和第二时间间隔期间将一对数据输入输出线电连接到所述一对位线,以及
所述读出放大器在所述第一时间间隔期间与所述一对位线电断开,并且在所述第二时间间隔期间感测并放大所述一对位线之间的电压差。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中,所述列选择电路在所述第一时间间隔开始的时间点处将所述一对数据输入输出线电连接到所述一对位线。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中,所述列选择电路在所述第一时间间隔之前的第三时间间隔期间,使所述一对数据输入输出线与所述一对位线电断开,并且
其中,所述读出放大器在所述第三时间间隔期间感测并放大所述一对位线之间的电压差。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,还包括:
隔离电路,
其中,所述半导体存储器设备被配置为使得当所述半导体存储器设备处于所述数据写入操作时,所述隔离电路在所述第一时间间隔期间将与所述读出放大器连接的一对感测位线与所述一对位线电断开,并且在所述第二时间间隔期间将所述一对感测位线电连接到所述一对位线。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器设备,其中,所述半导体存储器设备还被配置为使得在所述第一时间间隔之前的第三时间间隔期间:
所述隔离电路将所述一对感测位线电连接到所述一对位线;
所述列选择电路将所述一对数据输入输出线与所述一对位线电断开;以及
所述读出放大器感测并放大所述一对感测位线之间的电压差。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器设备,其中,所述一对位线包括位线和互补位线,
其中,所述一对感测位线包括感测位线和互补感测位线,
其中,所述隔离电路包括第一隔离电路和第二隔离电路,并且
其中,所述半导体存储器设备被配置为使得响应于隔离信号:
所述第一隔离电路将所述位线与所述感测位线电连接或电断开,以及
所述第二隔离电路将所述互补位线与所述互补感测位线电连接或电断开。
7.根据权利要求6所述的半导体存储器设备,还包括:
偏移消除电路,
其中,所述半导体存储器设备被配置为使得:
在所述第一时间间隔、所述第二时间间隔和所述第三时间间隔期间,所述偏移消除电路将所述位线和所述互补位线分别与所述互补感测位线和所述感测位线电断开,以及
在所述第三时间间隔之前的第四时间间隔期间,所述偏移消除电路将所述位线和所述互补位线分别电连接到所述互补感测位线和所述感测位线。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器设备,其中,所述半导体存储器设备被配置为使得在所述第四时间间隔期间:
所述列选择电路将所述一对位线与所述一对数据输入输出线电断开,
所述隔离电路将所述一对位线与所述一对感测位线电断开,以及
所述读出放大器感测并放大所述一对感测位线之间的电压差。
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