[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法

说明书

提供了一种半导体存储器设备及其操作方法。半导体存储器设备包括连接一对位线的多个存储器单元、列选择电路和读出放大器。当半导体存储器设备处于数据写入操作时，列选择电路在相继布置的第一时间间隔和第二时间间隔期间将一对数据输入输出线电连接到一对位线，并且读出放大器在第一时间间隔期间与一对位线电断开，并且在第二时间间隔期间感测并放大一对位线之间的电压差。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月5日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0081179的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例实施例涉及一种半导体存储器设备及其操作方法。

背景技术

在半导体存储器设备中，动态随机存取存储器(DRAM)可以通过将电荷存储在存储器单元的单元电容器中来写入数据，并且可以通过感测并放大由单元电容器中积累的电荷引起的一对位线之间的电压差来读出数据。为了写入数据，可以将数据输入输出线连接到写入驱动器。另外，一直在进行尝试以提高半导体存储器设备的操作速度。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种具有提高的操作速度的半导体存储器设备。

本发明构思的另一示例实施例提供了一种可以提高操作速度的半导体存储器设备的数据写入方法。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种半导体存储器设备，半导体存储器设备包括连接到一对位线的多个存储器单元、列选择电路和读出放大器。当半导体存储器设备处于数据写入操作时，列选择电路在相继布置的第一时间间隔和第二时间间隔期间将一对数据输入输出线电连接到一对位线，以及读出放大器在第一时间间隔期间与一对位线电断开，并且在第二时间间隔期间感测并放大所述一对位线之间的电压差。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种半导体存储器设备，半导体存储器设备包括：第一存储器单元，连接到位线；第二存储器单元，连接到互补位线；第一隔离晶体管，连接在位线和感测位线之间，并且具有被配置为接收隔离信号的栅极；第二隔离晶体管，连接在互补位线和互补感测位线之间，并且具有被配置为接收隔离信号的栅极；第一列选择晶体管，连接在位线与数据输入输出信号线之间，并且具有被配置为接收列选择信号的栅极；第二列选择晶体管，连接在互补位线和互补数据输入输出信号线之间，并具有被配置为接收列选择信号的栅极；以及读出放大器，连接在感测位线和互补感测位线之间。当半导体存储器设备处于数据写入操作时，第一列选择晶体管和第二列选择晶体管在相继布置的第一时间间隔和第二时间间隔期间导通，第一隔离晶体管和第二隔离晶体管在第一时间间隔期间关断，并且在第二时间间隔期间导通，以及读出放大器在第一时间间隔和第二时间间隔期间感测并放大感测位线和互补感测位线之间的电压差。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种半导体存储器设备的操作方法，半导体存储器设备包括读出放大器，读出放大器感测并放大一对位线之间的电压差。所述方法包括执行第一写入驱动操作以及在执行第一写入驱动操作之后执行第二写入驱动操作。第一写入驱动操作包括将一对数据输入输出线电连接到一对位线，将数据从一对数据输入输出线发送到一对位线，以及将一对位线与读出放大器电断开，并且第二写入驱动操作包括将一对位线电连接到读出放大器，以及通过读出放大器感测并放大一对位线之间的电压差。

附图说明

根据结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本发明构思的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：

图1是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体存储器设备的框图；

图2是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体存储器设备的存储器单元阵列和读出放大器块的框图；

图3是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体存储器设备的操作的图；