[发明专利]通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成

说明书

本申请涉及通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成。形成FinFET器件的半导体鳍的方法包括在半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜。该方法还包括氧化该非晶或多晶薄膜，以将锗从该非晶或多晶薄膜扩散到该半导体鳍中。此类方法进一步包括去除非晶或多晶薄膜的氧化部分。

本申请是申请日为2014年12月16日的题为“通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成”的中国发明专利申请201480071666.4的分案申请。

相关申请的交叉引用

本公开要求于2014年1月3日提交的题为“SILICON GERMANIUMFINFET FORMATIONBY GE CONDENSATION(通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成)”的美国临时专利申请No.61/923,489的权益，其公开内容通过援引全部明确纳入于此。

技术领域

本公开的各方面涉及半导体器件，并且更具体地涉及硅锗(SiGe)在鳍式场效应晶体管(FinFET)中的使用。

背景技术

硅锗(SiGe)已被广泛地评价为用于p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件的有前景的材料。SiGe具有比硅固有地高的空穴迁移率。在标准的场效应晶体管(FET)几何结构中，在半导体芯片区域(诸如FET的源极区和漏极区)中赋予应变是常见的。然而在鳍式场效应晶体管(FinFET)结构中，可用于应变工程的鳍的体积较小。由于诸如在十(10)纳米的器件设计中的鳍几何结构减小，所以SiGe鳍的制造变得昂贵且难以实现。

发明内容

形成FinFET器件的半导体鳍的方法可包括在半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜。该方法还包括氧化该非晶或多晶薄膜，以将锗从该非晶或多晶薄膜扩散到半导体鳍中。此类方法进一步包括去除非晶或多晶薄膜的氧化部分。

一种基板上的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件包括半导体鳍。该半导体鳍可包括共形沉积的非晶或多晶硅锗(SiGe)薄膜。来自非晶或多晶硅锗(SiGe)薄膜的锗可被扩散到半导体鳍中。

一种基板上的FinFET器件包括用于传导电流的装置。该电流传导装置可包括共形沉积的非晶或多晶硅锗(SiGe)薄膜。来自非晶或多晶硅锗(SiGe)薄膜的锗可被扩散到半导体鳍中。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应该领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。

附图说明

为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。

图1A-1D解说FinFET半导体器件的侧视图。

图2到6解说FinFET半导体器件的侧视图。

图7解说根据本公开的一个方面的FinFET半导体器件的鳍结构的侧视图。

图8解说根据本公开的一个方面的图7的FinFET半导体器件的鳍结构的侧视图。

图9解说根据本公开的一个方面的图8的FinFET半导体器件的鳍结构的侧视图。

图10和11解说根据本公开的另一方面的FinFET半导体器件的鳍结构的侧视图。

图12A-12E解说根据本公开的进一步方面的FinFET半导体器件的鳍结构的侧视图。