[发明专利]晶片载置台及其制法在审
申请号: | 202010618886.1 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN112185925A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 海野丰;本山修一郎 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;王莉莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 载置台 及其 制法 | ||
本发明提供一种晶片载置台(10),具备具有晶片载置面(12a)的陶瓷部件(12)、埋设在陶瓷部件(12)中的网格电极(14)、与网格电极(14)接触并从陶瓷部件(12)中的与晶片载置面(12a)相反一侧的面(12b)露出到外部的导电性的连接部件(16)、以及接合于连接部件(16)中露出到外部的面的外部通电部件(18)。在位于网格电极(14)中的与连接部件(16)对置的区域的网格开口部(14a)填充有烧结导电体(15),该烧结导电体是包含导电性粉末和陶瓷原料的混合物的烧结体。
技术领域
本发明涉及晶片载置台及其制法。
背景技术
作为晶片载置台,公知例如专利文献1所记载的装置。专利文献1中,作为这样的晶片载置台,公开了具备陶瓷部件、网格电极、导电性的连接部件、以及外部通电部件的晶片载置台。陶瓷部件具备晶片载置面。网格电极埋设在陶瓷部件中。连接部件与网格电极接触,并从陶瓷部件中的与晶片载置面相反一侧的面露出到外部。外部通电部件经由接合层而与连接部件中的露出到外部的面接合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2015/198892号小册子
发明内容
发明所要解决的课题
然而,由于连接部件与网格电极线接触,所以接触部件与网格电极的实际接触面积较小。因此,在电流从外部通电部件经由连接部件流入到网格电极时的连接部件附近的发热量变多,有时晶片的均热性受损。
本发明是为了解决这样的课题而完成的,其主要目的在于,抑制对网格电极通电时的连接部件的发热。
用于解决课题的方案
本发明的晶片载置台具备:
陶瓷部件,其具备晶片载置面;
网格电极,其埋设在上述陶瓷部件中;
导电性的连接部件,其与上述网格电极接触,从上述陶瓷部件中的与上述晶片载置面相反一侧的面露出到外部;以及
外部通电部件,其接合于上述连接部件中的露出到外部的面,
上述晶片载置台的特征在于,
在位于上述网格电极中的与上述连接部件对置的区域的网格开口部填充有烧结导电体,该烧结导电体是包含导电性粉末和陶瓷原料的混合物的烧结体。
在该晶片载置台中,在网格电极中的位于与连接部件对置的区域的网格开口部填充有烧结导电体。烧结导电体是包含导电性粉末和陶瓷原料(颗粒或粉末)的混合物的烧结体。连接部件与构成网格电极的线接触之外,还经由烧结导电体而与网格电极接触。因此,连接部件与网格电极的实际接触面积与现有技术相比变大。由此,连接部件与网格电极之间的电阻值与现有技术相比变低,可抑制在使从外部通电部件经由连接部件流向网格电极时的连接部件的发热。
在本发明的晶片载置台中,上述网格电极还可以是被施加高频电压的RF电极。在对网格电极施加高频电压的情况下,连接部件自身因从外部通电部件经由连接部件流向网格电极的高频电流而容易发热,但由于如上所述地,连接部件与网格电极之间的电阻值与现有技术相比变低,所以可抑制连接部件自身的发热。
在本发明的晶片载置台中,也可以为,上述网格开口部是一边的长度为0.3mm以上且1mm以下的方形,上述导电性粉末的粒径为1μm以上且10μm以下。
在本发明的晶片载置台中,上述导电性粉末优选是与上述网格电极相同材料的粉末。这样,由于烧结导电体与网格电极的热膨胀系数为接近的值,所以能够防止陶瓷部件因热应力而产生裂缝。此外,导电性粉末与网格电极的热膨胀系数优选为接近陶瓷部件的热膨胀系数的值。
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