[发明专利]低翘曲扇出型加工方法及其基材的生产在审
申请号: | 202010618986.4 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN112233985A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 金榛洙;肖宇 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/15;C03B23/203;C03B33/07;C03B33/08;C03C15/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张璐;江磊 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低翘曲扇出型 加工 方法 及其 基材 生产 | ||
1.一种扇出型加工的方法,所述方法包括:
提供或获得熔合玻璃层压片或晶片,其具有芯体层以及第一包层和第二包层,所述芯体层包括具有芯体玻璃热膨胀系数α芯体的芯体玻璃,所述第一包层和第二包层各自包括具有包层玻璃热膨胀系数α包层的包层玻璃,其中,α包层α芯体;
将集成电路装置固定到层压片或晶片的第二包层;
在集成电路装置上或上方形成扇出层;以及
移除一些第一包层以减少其上具有集成电路装置和扇出层的所述片或晶片的翘曲。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,芯体层基本上由芯体玻璃组成。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,第一包层和第二包层各自基本上由包层玻璃组成。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,提供或获得熔合玻璃层压片或晶片的步骤包括:使用熔合拉制机生产熔合玻璃层压件。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,薄化第一包层的步骤包括:蚀刻第一包层。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,薄化第一包层的步骤包括:抛光或研磨第一包层。
7.根据权利要求1所述的方法,其还包括:选择层压片或晶片的有效CTE以与仅针对管芯结合和填充过程的理想CTE相差在20%以内。
8.根据权利要求1所述的方法,其还包括:选择层压片或晶片的有效CTE以与仅针对管芯结合和填充过程的理想CTE相差在10%以内。
9.根据权利要求1所述的方法,其还包括:在第一扇出层上或上方形成额外的扇出层,以及移除更多的第一包层。
10.根据权利要求7或权利要求8所述的方法,其中,选择层压片或晶片的有效CTE的步骤还包括:
提供或获得熔合玻璃层压件,其具有芯体层以及第一包层和第二包层,所述芯体层具有芯体厚度t芯体并且包括具有芯体玻璃热膨胀系数α芯体、芯体玻璃泊松比ν芯体和芯体玻璃弹性E芯体的芯体玻璃,第一包层和第二包层各自具有厚度t包层并且包括具有包层玻璃热膨胀系数α包层、包层玻璃泊松比ν包层和包层玻璃弹性E包层的包层玻璃,
选择期望的有效热膨胀系数α有效,所述α有效大于
并且小于α芯体,以及
薄化第一包层和第二包层以产生薄化的第一包层和薄化的第二包层,其各自具有厚度t薄化,所述t薄化在以下范围内:
从
至
其中,P是0.1、0.05、0.02、0.01或者甚至0.05。
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