[发明专利]衬底处理装置及衬底搬送方法在审
申请号: | 202010620693.X | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN112242320A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 桑原丈二 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,其特征在于,具备:
移载传送区块,设置着用于载置能够收纳衬底的载体的载体载置台;
第1处理区块;及
第2处理区块;
所述第1处理区块、所述移载传送区块及所述第2处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结,
所述移载传送区块配置在所述第1处理区块与所述第2处理区块的中间,在内部具备载置多个衬底的衬底缓冲区,
所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底,搬送到所述衬底缓冲区,
所述第1处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区,
所述第2处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区,
所述移载传送区块将从所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个搬送来的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述载体载置台配置在所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少任一个的上表面之上或上方。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,还具备:
载体保管架,搭载在所述移载传送区块、所述第1处理区块及所述第2处理区块中的至少任一个之上,用于保管所述载体;及
载体搬送机构,搭载在所述移载传送区块、所述第1处理区块及所述第2处理区块中的至少任一个之上,在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,还具备:
载体保管架,保管所述载体;及
载体搬送机构,在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体;
所述载体保管架及所述载体搬送机构搭载在所述第1处理区块及所述第2处理区块中高度较低的区块上。
5.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第2处理区块进行与所述第1处理区块内容相同的处理。
6.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述移载传送区块进而于内部具备移载传送用衬底搬送机构,
所述移载传送用衬底搬送机构在载置于所述载体载置台的载体与所述衬底缓冲区之间搬送衬底。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述移载传送区块除具备所述移载传送用衬底搬送机构外,还于内部具备另一个移载传送用衬底搬送机构,
所述2个移载传送用衬底搬送机构以在与配置所述第1处理区块及所述第2处理区块的方向正交的方向上隔着所述衬底缓冲区的方式配置。
8.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第1处理区块具有第1搬送机构,
所述第2处理区块具有第2搬送机构,
所述第1处理区块利用所述第1搬送机构从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将已利用所述第1搬送机构进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区,
所述第2处理区块利用所述第2搬送机构从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将已利用所述第2搬送机构进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。
9.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个具有以堆积的方式配置的多个处理层,
所述衬底缓冲区具备与所述多个处理层的层级对应地设置的多个缓冲区部,
所述缓冲区部构成为能够分别相对于所述移载传送区块装卸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造