[发明专利]衬底处理装置及衬底搬送方法在审
申请号: | 202010620693.X | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN112242320A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 桑原丈二 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理装置的衬底搬送方法。2个处理区块不以堆积的方式配置,第1处理区块、ID区块、第2处理区块在水平方向上呈直线状连结。因此,能够抑制高度并增加处理层的个数。第1处理区块及第2处理区块分别直接连结于ID区块。因此,能够抑制通过处理区块却不进行衬底处理的步骤,由此,能够防止产能降低。另外,将2个处理区块均能够搬送衬底W的衬底缓冲区配置在2个处理区块的中间,因此能够减少衬底处理装置的占据面积。
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理装置及衬底处理装置的衬底搬送方法。衬底例如可列举半导体衬底、FPD(Flat Panel Display,平板显示器)用衬底、光罩用玻璃衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底、太阳电池用衬底等。FPD可列举液晶显示装置、有机EL(electroluminescence,电致发光)显示装置等。
背景技术
如图1所示,以往的衬底处理装置201具备移载传送区块(以下适当称为“ID区块”)202及处理区块203(例如参照日本专利特开2014-022570号公报)。ID区块202具备载置能收纳多个衬底的载体C的载体载置台216、及在载置在载体载置台216的载体C与处理区块203之间搬送衬底的衬底搬送机器人(未图示)。处理区块203对衬底例如进行涂布阻剂液的涂布处理。
另外,衬底处理装置201具备堆积器装置(载体缓冲区装置)208(例如参照日本专利特开2011-187796号公报)。堆积器装置208以在载体载置台216侧沿水平方向延长的方式配置。堆积器装置208具备搬送载体C的载体搬送机构261、及用于保管载体C的保管架263。
此外,日本专利特开2016-201526号公报中公开了具备配置在ID区块与处理区块之间的交接区块的衬底处理系统。交接区块具备配置在上下方向的多个缓冲区部、及隔着多个缓冲区部配置的2个转移装置。2个转移装置配置在与配置ID区块及处理区块的方向(X方向)正交的水平方向(Y方向)。
另外,日本专利特开平09-045613号公报中公开了涂布处理区块、匣盒台(相当于ID区块)及显影处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结的衬底处理装置。匣盒台构成为能够配置收容未处理的衬底及已处理的衬底的任一种的4个匣盒。另外,在涂布处理区块与匣盒台的交接部分,设置衬底对位用第1载置台,并且在匣盒台与显影处理区块的交接部分设置衬底对位用第2载置台。匣盒台的1个搬送机构经由这些载置台将衬底搬送到涂布处理区块及显影处理区块。
发明内容
[发明要解决的问题]
衬底处理装置201的处理区块203具备上下堆积的多个处理层(例如图1的2个处理层203A、203B)。由此,能够与处理层的个数相应地对衬底进行并行处理。然而,衬底处理装置201的高度有制限,堆积的处理层也有界限。
于是,例如能够采用图2所示的衬底处理装置201。图2所示的衬底处理装置201在水平方向具备2个处理区块203、205。处理区块203具备2个处理层203A、203B。处理区块205具备2个处理层205A、205B。
在这种构成的情况下,存在以下问题。例如,在从ID区块202向处理层205A搬送衬底的情况下,必须通过处理层203A。另外,在将已利用处理层205A进行过处理的衬底送回ID区块202的情况下,也必须通过处理层203A。因此,在ID区块202与处理层205A之间搬送衬底有导致处理层203A的产能降低的担忧。另外,作为衬底处理装置201整体也有导致产能降低的担忧。另外,图2所示的衬底处理装置201的控制恐怕也会变得复杂。进而,要求减少衬底处理装置1的占据面积。
本发明是鉴于这种情况完成,目的在于提供一种能够防止产能降低、增加处理层个数,进而能够减少占据面积的衬底处理装置及衬底搬送方法。
[解决问题的技术手段]
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造