[发明专利]1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法

权利要求书

1.一种1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，在半导体基板上规划出多个有源区，所述的有源区呈多个互相平行的条形；所述条形的各个有源区其长度、宽度均相同；

在所述的多个有源区上方，还具有多个互相平行且与有源区垂直的多晶硅线，所述多晶硅线与其下方的半导体基板之间还分别形成有多个接触孔，所述多个接触孔避开有源区，位于有源区之间的区域；

其特征在于：所述接触孔的尺寸大于多晶硅线的宽度，所述的多个平行多晶硅线在接触孔区域其宽度变大，以满足接触孔的落孔尺寸要求；

每间隔一定数量的节点，在有源区之间设置一个多晶硅线的接触孔的集中接触区，通过将相邻的多晶硅线的接触孔区域进行互补型局部放大，彼此错开，以节省接触孔区所占用的面积。

2.如权利要求1所述的1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，其特征在于：所述的半导体基板为硅衬底。

3.如权利要求1所述的1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，其特征在于：所述的多个有源区，每个有源区形成一个1.5T SONOS闪存器件的存储单元；其上方的多晶硅线，形成相关子单元的栅极，包括选择管栅极、存储管栅极，以及共用的共源多晶硅线，同时所述的多晶硅线也作为连接各子单元栅极的导线。

4.如权利要求1所述的1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，其特征在于：所述的多晶硅线，或者是金属线；所述多晶硅线上方还能制作有金属硅化物以降低电阻。

5.如权利要求1所述的1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，其特征在于：所述的多晶硅线，在集中接触区，设定一根多晶硅线的接触孔区，与这根多晶硅线相邻的另一根多晶硅线的接触孔区错开前述接触孔区，形成互相啮合的拼图形貌，这样能保证各自有效的接触孔区尺寸，同时降低集中接触区的整体版图占用面积。

6.如权利要求1所述的1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，其特征在于：所述的有源区中，其器件为对称排布，包含有选择管及存储管，选择管和存储管相对共源多晶硅线的对称一侧也具有选择管和存储管；其中，所述选择管和对称管的位置能够互换。

7.如权利要求1所述的1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，其特征在于：所述的条形有源区两端还具有接触孔，引出存储单元的位线。

8.如权利要求1所述的1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法，其特征在于：在所述的集中接触区中的任一根或多根多晶硅线上，还能设置两个或两个以上的接触孔，以满足后道金属线跨层连接的工艺需求。