[发明专利]LED显示基板及其制备方法显示面板在审
申请号: | 202010621459.9 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111863857A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 曾亭;卢鑫泓;桂和仁;杨健;李永飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 吴俣;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
1.一种LED显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板,包括显示区域和绑定区域;
第一金属导电层图形,位于所述衬底基板上,包括:多条信号走线;
第一钝化层,位于所述第一金属导电层图形远离所述衬底基板一侧;
第二金属导电层图形,位于所述第一钝化层远离所述衬底基板的一侧,包括:位于所述显示区域的第一连接端子和位于所述绑定区域的第二连接端子,所述第一连接端子和所述第二连接端子分别与对应的信号走线图形通过过孔连接;
第二钝化层,位于所述第二金属导电层图形远离所述衬底基板一侧;
其中,所述第一金属导电层图形与所述第一钝化层之间设置有第一黑化层图形,所述第一黑化层图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第一导电图形在所述衬底基板上的正投影所处区域内;
和/或,所述第二导电图形与所述第二钝化层之间设置有第二黑化层图形,所述第二黑化层图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第二金属导电层图形在所述衬底基板上的正投影所处区域内。
2.根据权利要求1所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一黑化层图形在所述衬底基板上的正投影,与所述第一金属导电层图形在所述衬底基板上的正投影,两者完全重叠。
3.根据权利要求1所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一连接端子包括:第一实际连接区域;
所述第二黑化层图形在所述衬底基板上的正投影,与所述第二金属导电层图形上除位于所述实际连接区域之外的其他部分在所述衬底基板上的正投影,两者完全重叠。
4.根据权利要求3所述的LED显示基板,其特征在于,所述第二连接端子远离所述衬底基板的一侧以及所述第二连接端子的侧面设置有保护图形,所述保护图形的材料为金属氧化物导电材料;
所述黑化层图形覆盖所述第二连接端子的部分位于所述导电保护图形与所述第二连接端子之间。
5.根据权利要求1所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一黑化层图形的材料包括金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物中的至少一种;
所述第二黑化层图形的材料包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一黑化层图形的材料包括:氧化钼、氮化钼、氮氧化钼、氧化钼铌、氮化钼铌、氮氧化钼铌中至少一种;
所述第二黑化层图形的材料包括:氧化钼、氮化钼、氮氧化钼、氧化钼铌、氮化钼铌、氮氧化钼铌中至少一种。
7.根据权利要求1所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一钝化层的材料包括:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种;
所述第二钝化层的材料包括:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一钝化层的材料包括:氮氧化硅,所述第一钝化层厚度包括:230nm~250nm;
所述第二钝化层的材料包括:氮氧化硅,所述第二钝化层厚度包括:230nm~250nm。
9.根据权利要求1所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一金属导电层图形靠近所述衬底基板的一侧设置有与所述第一金属导电层图形接触的第一功能图形,所述第一功能图形配置为提升所述第一金属导电层图形与所述衬底基板之间的结合牢固度;
和/或,所述第二金属导电层图形靠近所述衬底基板的一侧设置有与所述第而金属导电层图形接触的第二功能图形,所述第二功能图形配置为提升所述第二金属导电层图形与位于所述第二金属导电层图形靠近所述衬底基板的一侧膜层之间的结合牢固度。
10.根据权利要求9所述的LED显示基板,其特征在于,所述第一功能图形的材料包括:钼或钼铌合金;
所述第二功能图形的材料包括:钼或钼铌合金。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的