[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构有效
申请号: | 202010621896.0 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111739805B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 霍炎;涂旭峰 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/373 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张玲玲 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 结构 | ||
1.一种半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法包括:
将至少一个待封装的芯片及辅助件贴装于载板上;所述辅助件包括与所述芯片一一对应的辅助结构,所述辅助结构包括设置在所述芯片周侧的辅助部,所述芯片包括第一面及与所述第一面相对的第二面,所述第一面朝向所述载板,所述第一面设有多个焊垫;所述辅助部包括第三面及与所述第三面相对的第四面,所述第一面与所述第三面位于同一侧,所述第二面与所述第四面位于同一侧,所述第三面朝向所述载板,所述第三面与所述载板之间存在间隙;
形成包封层,所述包封层覆盖在所述载板上,包封所述至少一个待封装的芯片及所述辅助件,所述第二面及所述第四面露出所述包封层,所述第三面被所述包封层覆盖;
在所述第二面一侧形成散热层,所述散热层覆盖所述芯片及所述辅助结构,并直接接触所述辅助结构的辅助部;所述散热层的材料与所述辅助结构的材料均为金属;所述散热层部分镂空。
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述辅助结构的材料与所述散热层的材料相同。
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述辅助部环绕对应的所述芯片设置且连续不间断。
4.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述辅助部与对应的所述芯片间隔设置,所述散热层覆盖所述包封层位于所述芯片与所述辅助部之间的部分。
5.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述辅助结构还包括由所述辅助部向外侧延伸出的连接部,所述连接部的至少部分区域的厚度大于所述辅助部的厚度。
6.根据权利要求5所述的半导体封装方法,其特征在于,所述辅助结构还包括设置在所述辅助部外侧的多个间隔排布的引脚,所述引脚与所述辅助部间隔设置。
7.根据权利要求6所述的半导体封装方法,其特征在于,所述辅助件还包括框架体,所述辅助结构的所述连接部及所述引脚分别与所述框架体连接;
所述在所述第二面一侧形成散热层之后,所述半导体封装方法还包括:
去除所述框架体。
8.根据权利要求6所述的半导体封装方法,其特征在于,所述形成包封层,包括:
形成包封结构,所述包封结构覆盖在所述载板上,全部包封所述至少一个待封装的芯片、所述辅助部及所述引脚,所述引脚背离所述载板的表面到所述载板的距离大于所述第四面到所述载板的距离;
对所述包封结构及所述引脚进行减薄处理,使所述包封结构形成所述包封层,所述第二面、所述引脚背离所述载板的表面及所述第四面齐平且均露出所述包封层。
9.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法还包括:
剥离所述载板,露出所述第一面;
在所述第一面一侧形成用于将所述焊垫引出的再布线层。
10.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
包封层,所述包封层设有至少一个第一容纳槽与至少一个第二容纳槽,所述第一容纳槽贯穿所述包封层,所述第二容纳槽至少部分区域未贯穿所述包封层;
至少一个待封装的芯片,所述芯片与所述第一容纳槽一一对应,所述芯片嵌设在对应的所述第一容纳槽内,所述芯片包括第一面及与所述第一面相对的第二面,所述第一面设有多个焊垫;所述第一面及与所述第二面分别露出所述包封层;
与所述芯片一一对应的辅助结构,所述辅助结构与所述第二容纳槽一一对应,所述辅助结构嵌设在所述第二容纳槽中;所述辅助结构包括设置在所述芯片周侧的辅助部,所述辅助部包括第三面及与所述第三面相对的第四面,所述第三面与所述第一面位于同一侧,所述第四面与所述第二面位于同一侧,所述第四面露出所述包封层,所述第三面被所述包封层覆盖;
散热层,位于所述第二面一侧,所述散热层覆盖所述芯片及所述辅助结构,并直接接触所述辅助结构的至少一部分;所述散热层的材料与所述辅助结构的材料均为金属;所述散热层部分镂空。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子(重庆)有限公司,未经矽磐微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010621896.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造